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电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

曾祥斌 , 孙小卫 , 李俊峰 , 齐国钧

功能材料

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.

关键词: 电场增强晶化 , 多晶硅薄膜 , 金属诱导晶化 , 薄膜晶体管

SiNx薄膜中硅纳米粒子的制备及表征

姜礼华 , 曾祥斌 , 张笑 , 曾瑜

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00802

通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法, 以氨气和硅烷为反应气体, P型单晶硅和石英为衬底, 低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜. 经高温(范围500~950℃)退火处理优化了薄膜结构. 室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiNx薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱, 对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析. Raman光谱表明. SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构. PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带, 随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同. 当退火温度低于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移. 当退火温度高于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而红移. 通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应. 这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.

关键词: 硅纳米粒子 , SiNx thin films , quantum confinement effect

EPDM/St-An相反转乳液接枝共聚合行为及EPDM-g-SAN对SAN树脂的增韧效应

代惊奇 , 王炼石 , 蔡彤旻 , 熊凯 , 张安强 , 曾祥斌

高分子材料科学与工程

用"相反转"乳液接枝共聚合法合成了三元乙丙橡胶与苯乙烯-丙烯腈共聚单体的接枝共聚物(EPDM-g-SAN),将其与苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)树脂共混制备了耐天候老化黄变性能优异的高抗冲工程塑料(AES).研究了An在共单体中的比率及EPDM/St-An的配比对接枝反应行为及AES的缺口冲击强度的影响.结果表明,随着An比率的增加,单体转化率(CR)出现峰值,其中最高CR为97.5%,接枝率(GR)与接枝效率(GE)则逐渐提高;AES的缺口冲击强度在An的质量百分比为35%~40%范围内出现峰值,其中最大冲击强度为53.0 kJ/m2.SEM和TEM分析表明,An比率为35%的EPDM-g-SAN在SAN树脂基体中有良好的分散性,相界面结合牢固,并证实其AES的增韧机理既有空穴化又有剪切屈服.

关键词: 相反转乳液接枝共聚合 , EPDM-g-SAN , AES , 增韧 , 扫描电镜 , 透射电镜

铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究

饶瑞 , 徐重阳 , 王长安 , 赵伯芳 , 周雪梅 , 曾祥斌

功能材料

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺--金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温(<600℃)晶化.利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜.

关键词: 金属诱导 , 非晶硅薄膜 , 低温晶化 , 多晶硅薄膜

铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

饶瑞 , 徐重阳 , 孙国才 , 王长安 , 曾祥斌

无机材料学报

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(<600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在560℃退火6h后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理.

关键词: 金属诱导晶化 , low temperature , amorphous silicon film , polycrystalline silicon film

多晶硅薄膜的表面处理工艺

曾祥斌 , JohnnyKOSin , 徐重阳 , 饶瑞

无机材料学报

采用NH和NO的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的 p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理 TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH和NO等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.

关键词: NH3 , N2O , surface passivation , poly-Si TFT

溶胶-沉淀法制备钛酸锶钡粉末及其水热处理

张五星 , 薛丽红 , 邹雪城 , 曾祥斌 , 尹盛

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.011

通过溶胶-沉淀法制备出完全钙钛矿结构的 Ba0.71Sr0.29TiO3( BST)粉末,粉末的颗粒尺寸约为 300 nm.但得到的 BST粉末不稳定,在乙酸中容易分解.通过 TG- DTA和 XRD分析,直接沉淀得 到的粉末颗粒失重大,而且由于颗粒所吸附的有机物阻碍了 Ba2+和 Sr2+的扩散,造成了直接沉淀的 BST颗粒内部的组分不均匀和结晶不完全.通过对直接沉淀的 BST粉末进行 150- 200 ℃的水热 后处理,其结晶性得到了很大的改善,稳定性也得到了提高.实验表明,水热处理具有与烧结相似 的效果,但 BST粉末的分散性得到了改善.

关键词: BST , 粉末 , 溶胶-沉淀法 , 水热处理 , 结晶

PEB-g-MAN的合成与表征

熊凯 , 朱勇平 , 王炼石 , 蔡彤旻 , 张安强 , 曾祥斌

高分子材料科学与工程

用悬浮接枝共聚法合成了乙烯-1-丁烯共聚物(PEB)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)-丙烯腈(AN)的接枝共聚物(PEB-g-MAN).用不同性质的溶剂以抽提法将接枝共聚产物所含组分逐步分离,用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)分析了各组分聚合物的归属.研究了AN/(MMA+AN)投料质量比(fAN)对接枝共聚反应行为及产物各组分含量的影响.用凝胶渗透色谱法(GPC)对各组分相对分子质量及其分布进行了表征.结果发现,接枝共聚体系存在PEB与MMA-AN接枝共 聚、PEB与MMA接枝均聚、MMA与AN共聚和MMA均聚等基元反应.

关键词: 乙烯-1-丁烯共聚物与甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈接枝共聚反应 , 橡胶接枝率 , 组分分离 , 傅立叶变换红外光谱 , 基元反应 , 凝胶渗透色谱法

镧化物改性超细碳酸钙对PET非等温结晶行为的影响

郭涛 , 王炼石 , 蔡彤 , 曾祥斌

高分子材料科学与工程

用DSC研究了镧化物改性超细碳酸钙与成核剂NA对PET非等温结晶行为的影响,并对其结晶成核能力进行了分析.结果表明,各成核剂均使PET的结晶温度和结晶度提高,结晶峰半峰宽变窄.非等温结晶动力学分析表明各样品的Avrami指数介于3~5,成核剂的加入使PET的结晶动力学常数增加而半结晶时间缩短.根据过冷温度和过热温度,成核剂的结晶成核能力大小顺序为UCaCO3-5La3+>NA> UCaCO3-10La3+> UCaCO3-1La3+.

关键词: 聚对苯二甲酸乙二醇酯 , 超细碳酸钙 , 镧化物 , 非等温结晶 , 结晶动力学

衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响

孙小虎 , 雷青松 , 曾祥斌 , 薛俊明 , 鞠洪超 , 陈阳洋

人工晶体学报

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能.结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响.在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω·cm.平均透过率为85%的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜.对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极.

关键词: MOCVD , 绒面ZnO薄膜 , 衬底温度 , 太阳电池

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