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Design for manufacturability of a VDSM standard cell library

周宠 , 陈岚 , 曾健平 , 尹明会 , 赵劫

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/2/025015

关键词:

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

文剑 , 曾健平 , 晏敏

材料导报

介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.

关键词: 微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT