曾云
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苏轶坤
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吴喜明
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汤皎宁
稀有金属材料与工程
利用恒电位沉积方法,在阳极氧化铝(AAO)模板里沉积了CdSe纳米线.对其进行了结构和光学性质的表征,并且用循环伏安法讨论了其沉积机理.结果表明:室温下,0.1 mol·L-1CdSO4+ 0.25 mol·L-1H2SO4+ 50 mmol·L-1 SeO2配比的溶液,0.4 V恒电位沉积,在AAO模板中制备出了CdSe纳米线.EDS的结果表明Cd和Se的化学计量比接近于1∶1；通过XRD确定了所沉积的CdSe为面心立方结构,其择优取向为(111)晶面.紫外可见分光光度计吸收光谱表明其吸收范围在400～700 nm,吸收最大处在500 nm,PL发射谱表明CdSe纳米线的发光峰在400 nm左右.
关键词:
电沉积
,
半导体
,
CdSe纳米线
曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
赵云
,
曾云
,
刘伟光
,
陈飞
,
周海
材料热处理学报
采用等电位空心阴极辉光放电技术对纯钛进行W-Mo二元共渗,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计对试样的结构形貌、渗层成分分布及相组成、硬度进行研究.利用摩擦磨损试验仪对试样的摩擦学性能进行研究,利用电化学腐蚀工作站,研究了W-Mo合金渗层在常温静态条件下,在3.5％ NaCl腐蚀介质中的耐蚀性能.结果表明,经W-Mo共渗处理后纯钛表面形成了一层均匀致密的W-Mo改性层,渗层最大厚度达到16.6 μm,最大硬度达到1196HV0.1,是基体的6.85倍.W-Mo共渗后改性层主要由W、Mo、MoTi、TixW1-x相组成.由于表面硬度的大幅提升,试样表面的耐磨性也显著提高,最低摩擦系数仅为0.23,较原始试样的0.516明显减小.测得的试样最低腐蚀速率为0.0016 mm/a,是原始试样的1/230,耐蚀性能也显著提高.
关键词:
纯钛
,
辉光放电
,
W-Mo共渗
,
耐磨性能
,
耐蚀性能
