孙国胜
,
宁瑾
,
高欣
,
攻全成
,
王雷
,
刘兴昉
,
曾一平
,
李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20～265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ·cm2,与温度的关系遵守Ron～T2.0规律.
关键词:
4H-SiC
,
同质外延生长
,
肖特基二极管
孙殿照
,
刘宏新
,
王军喜
,
王晓亮
,
刘成海
,
曾一平
,
李晋闽
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013
介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).
关键词:
氮化镓
,
GaN
,
分子束外延
,
二维电子气
,
极化
孙国胜
,
王雷
,
巩全成
,
高欣
,
刘兴昉
,
曾一平
,
李晋闽
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.
关键词:
3C-SiC
,
LPCVD生长
,
Si台面
,
SiO2/Si
胡强
,
魏同波
,
段瑞飞
,
羊建坤
,
霍自强
,
卢铁城
,
曾一平
稀有金属材料与工程
采用镀Ti插入层在氢化物外延设各中制各了高质量自支撑GaN厚膜.X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260 aresee:5K下样品带边发光峰的半高宽为3 meV,室温下样品的带边发光峰也只有20 meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量.通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放.研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量.
关键词:
氮化镓
,
氢化物气相外延
,
自支撑厚膜
,
应力释放
,
荧光
李彦波
,
刘超
,
张杨
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.005
由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间.本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景.
关键词:
锑化物半导体
,
高电子迁移率晶体管
,
HEMT
,
ABCS
,
研究进展
艾春安
,
彭炯
,
徐志高
,
李剑
,
曾一平
玻璃钢/复合材料
本文以含脱粘的金属/复合材料粘接结构为对象,研究在结构含脱粘缺陷情况下,复合材料厚度对固有频率、振型和柔度矩阵的影响.结果表明,随着厚度的增大,固有频率、脱粘区域的振型和柔度矩阵的变化率都呈现出先增大后减小的趋势,在厚度为5mm附近有最大值；柔度矩阵检测不同复合材料厚度下小面积脱粘是可行的.论文研究结果可为下一步运用模态方法对喷管的脱粘缺陷进行实验检测提供相应的理论指导.
关键词:
脱粘
,
有限元
,
固有频率
,
振型
,
柔度矩阵
,
无损检测
沈文娟
,
王俊
,
王启元
,
段垚
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.015
采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长.由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
光致发光
,
ZnO
艾春安
,
刘瑜
,
李剑
,
曾一平
玻璃钢/复合材料
针对固体火箭发动机壳体/绝热层界面缺陷进行超声定量检测问题,本文提出采用经验模态分解(EMD)对信号进行降噪处理.通过对信号进行EMD处理,求得各阶本征模态函数(IMF).通过分析各阶IMF分量的时域信号、频域信号与原始信号的相关性,提出将IMF3分量作为缺陷定量的特征信号,采用峰值引力波因子(SWF)作为特征量来评价特征信号,通过比较SWF数值大小实现了粘接结构脱粘缺陷的定量检测.
关键词:
经验模态分解
,
相关性
,
降噪
,
脱粘缺陷
,
定量检测
李越强
,
刘雯
,
王晓东
,
陈燕凌
,
杨富华
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.015
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线.在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的I-V特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响.在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象.这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释.这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器.
关键词:
InAs量子点
,
场效应晶体管
,
悬浮栅
,
负微分电导
