潘若冰
,
胡丽娟
,
曹鸿涛
,
竺立强
,
李俊
,
李康
,
梁凌燕
,
张洪亮
,
高俊华
,
诸葛飞
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.013
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能.ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为.在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则.ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人.
关键词:
忆阻器
,
神经突触器件
,
人工神经网络
,
ZnO
伏兵
,
诸葛飞
,
刘志敏
,
罗浩
,
梁凌燕
,
高俊华
,
曹鸿涛
材料科学与工程学报
本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度.以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应.本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段.
关键词:
阻变
,
ZnO薄膜
,
氩等离子体处理
曹鸿涛
,
裴志亮
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
,
白峰
,
邓振波
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.03.023
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向,c轴晶格常数大于0.52000 nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4Ω.cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳极的有机发光二极管的发射光谱,在5.38 A/m2电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A.
关键词:
ZnO:Al薄膜,电学、光学性能,电致发光,有机发光二极管
杨詹
,
施媛媛
,
孙喜莲
,
曹鸿涛
,
卢焕明
,
刘旭东
材料导报
采用化学浴沉积法在氧化锌种子层上制备了整齐有序且具有c轴取向的氧化锌纳米棒,同时还出现了自由分布的微米棒,其生长速度高于纳米棒,且生长模式符合扩散控制"Ostwald熟化"机制,但纳米棒生长过程的影响因素除扩散过程外还有形核密度、生长界面的反应动力学等.并研究了氧化锌纳米棒的微观结构和光学性质.
关键词:
氧化锌
,
微米棒
,
纳米棒
,
化学浴沉积
孙超
,
陈猛
,
裴志亮
,
曹鸿涛
,
黄荣芳
,
闻立时
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.02.001
ZnO:Al(ZAO)是一种简并半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽度.因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.对于其能级高度简并的ZAO半导体薄膜材料.在较低的温度下.离化杂质散射占主导地位:在较高的温度下,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.本文介绍了ZAO薄膜的制备方法、晶体结构特性、电学和光学性能以及载流子的散射机制.
关键词:
透明导电氧化物
,
简并半导体
,
ZAO薄膜
,
散射机制
,
电学光学性质
曹鸿涛
,
裴志亮
,
孙超
金属学报
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性。结果表明，多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有（002）面择优取向，c轴晶格常数大于0.52000nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω•cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳性的有机发光二极管的发射光谱,在5.38A/m2 电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A.
关键词:
ZnO
,
null
,
null
