曹为民
,
石新红
,
印仁和
,
姬学彬
,
张磊
,
曹赟
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.01.001
在硼酸镀液中以单晶Si(111)为基底用双槽法制备Cu/Co多层膜,在镀液中分别加入了镀铜添加剂2000#和镀钴添加剂5#.探讨了镀层电结晶成核机理,在基础镀液中铜电结晶为三维连续成核过程,钴电结晶在较低电位下为三维连续成核,在较高电位下为三维瞬时成核过程.加入添加剂后,铜、钴电结晶均为三维瞬时成核过程.测试了Cu/Co多层膜的磁性能;添加剂能提高多层膜的磁性能,无添加剂的Cu/Co多层膜的巨磁阻(GMR)值约为5%,而在加入了添加剂后,其GMR值高达52%.
关键词:
电结晶
,
Cu/Co多层膜
,
成核
,
巨磁阻效应
