季振国
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吴家亮
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曹虹
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席俊华
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李红霞
材料科学与工程学报
利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见光吸收光谱（UV-Vis）研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。
关键词:
脉冲激光沉积
,
钴氧化物
,
禁带宽度
,
光学性能
季振国
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周荣福
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毛启楠
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霍丽娟
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曹虹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
关键词:
透明半导体薄膜
,
锡锑氧化物
,
PN结
