薛成山
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郭永福
,
石锋
,
庄惠照
,
刘文军
,
曹玉萍
,
孙海波
功能材料
利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线.X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构.通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移.最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
纳米线
,
GaN
,
磁控溅射
,
单晶
,
钯催化
孙海波
,
石锋
,
曹玉萍
,
薛成山
,
修显武
功能材料
在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O_2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析.结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右.初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理.
关键词:
氧化锌
,
单晶堆垒
,
纳米棒
曹玉萍
,
薛成山
,
石锋
,
孙海波
,
刘文军
,
郭永福
功能材料
利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga_2O_3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征.结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响.简单讨论了GaN纳米线的生长机理.
关键词:
GaN
,
纳米线
,
氨气流量
,
溅射
,
生长机制
