张俊良
,
张思佳
,
翁红明
,
于晓辉
,
张巍
,
杨留响
,
刘清青
,
冯少敏
,
望贤成
,
禹日成
,
曹烈兆
,
张首晟
,
戴希
,
方忠
,
靳常青
低温物理学报
通过高压电阻测量，发现了拓扑绝缘体化合物BizTe3压力诱导的超导性，在3-6GPa的压力范围内，超导临界温度L约为3K．高压下原位同步辐射的结果证明这个超导相来源于常压相结构．通过霍尔效应的测量，发现超导的Bi2Te3样品的载流子为P型．对高压同步辐射结果Reitveld精修得到的晶格参数和原子位置，并以此进行第一性原理计算，得到的高压下的电子结构仍然保持其拓扑不平凡性．由于Bi2Te3的体超导态和Dirac型的表面态之间的近邻效应，可以出现拓扑超导性．文章也讨论了其体态为拓扑超导体的可能性．
关键词:
拓扑绝缘体
,
高压
,
超导性
,
Bi2Te3
李慧玲
,
阮可青
,
王强
,
陈宇
,
钱朔
,
余勇
,
黄利
,
郑重
,
汪成友
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.04.007
研究了不同Pb含量的Bi2-xPbxSr2Co2Oy单晶的输运行为.用A. F. Ho 和A. J. Schofield提出的公式对ρc的温度依赖关系曲线进行了拟合,得到了较好的结果.我们利用小极化子理论解释了ρc的复杂行为.
关键词:
过渡金属氧化物的电导
,
小极化子
陈旭东
,
杨宏顺
,
柴一晟
,
刘剑
,
钟声
,
孙成海
,
高慧贤
,
薛璟
,
段理
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.005
通过原子力显微镜(AFM)对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→ (Nd,Ce)2O3+ NdCeO3.5+ Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不同的单晶样品. Ab面电阻率测量结果表明,降低冷却速率可有效减少分解过程的发生、减少有效载流子浓度的降低和减少对Cu2O上Cu2+-Cu2+反铁磁关联的破坏,有利于保持体系结构上的均匀性和稳定性,是制备高品质电子型超导体Nd2-xCexCuO4单晶的关键.
关键词:
电子型超导体
,
样品制备
,
电阻率
王建彬
,
杨宏顺
,
陈旭东
,
刘剑
,
孙成海
,
高慧贤
,
成路
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.002
本文通过对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面(ρab)和c方向电阻率(ρc)的测量,发现未经过氮气退火的样品的ρc与温度成线性依赖关系,但是同一个样品经过氮气退火后的ρc中不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.这说明样品经过氮气退火后,电子与空穴两种载流子共同参与导电.样品在退火处理前的各向异性比(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0)存在强的温度依赖关系,这是由于ρc与温度成线性依赖关系,然而ρab不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.样品经过退火处理后的各向异性比存在弱的温度依赖赖关系,这是由于ρc与ρab中都同时有一次方和二次方的温度依赖关系.我们用电子和空穴沿c方向有不同的隧穿几率来解释ρc和(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0).
关键词:
电阻率
,
双载流子
,
隧穿几率
谢宝海
,
吴晓祖
,
刘向宏
,
陈自力
,
蒲明华
,
李晓光
,
曹烈兆
,
周廉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.01.003
利用Nb片和Ti片交替组配加工,经扩散反应制备了Ti含量从43WT%到57WT%之间的三种不同成份的NbTi超导线.测量了三种不同成份的临界电流密度Jc,讨论了在磁场下不同Ti含量对NbTi线临界电流密度Jc的影响,并对磁通钉扎机制进行了分析.通过扫描电镜(SEM)观察了Nb/Ti界面扩散形态及微结构,并运用多源标度分析法[1]对不同成份的NbTi超导线进行了磁通钉扎力密度随磁场变化曲线的拟合.结果表明:随着含Ti量的增加,其临界电流密度在低场时很高,而在高场时的性能偏低,且下降迅速,而含Ti量低的超导线在高场时的性能更具有优势;超导线在不同磁场下的性能是由点钉扎和面钉扎两种钉扎机制共同作用决定的.
关键词:
NbTi超导体
,
临界电流密度
,
磁通钉扎
陈祖耀
,
李明德
,
柴一晟
,
余旼
,
杨宏顺
,
王忠兵
,
阮可青
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.005
RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30～40K的超导体.其合成的主要问题是,在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成.本文报道了合成RuSr2GdCu2O8 (Ru-1212相)纯相的新方法.即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6 (Ru-211相)先驱物,然后Sr2GdRuO6与CuO高温烧结,生成RuSr2GdCu2O8.合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为.该体系的超导转变与生成的杂相有关.
关键词:
曹烈兆
,
杨宏顺
,
柴一晟
,
李鹏程
,
李志权
,
陈兆甲
,
余旼
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.006
测量了欠掺杂区域Sm2-xCexCuO4(0.09≤x≤0.15)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.电阻率ρ在低于200K处斜率发生改变,表明低温下发生载流子弱局域化.热电势S高温下满足线性温度依赖关系,随着温度降低,在200～250K发生斜率改变,可以用赝能隙的开放解释.所有的样品在50K观察到一个曳引峰,表明载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型.
关键词:
李志权
,
杨宏顺
,
任治安
,
余旻
,
柴一晟
,
李鹏程
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.01.006
通过对系列(La1-xSmx)1.85Sr0.15CCuO4(x=0,0.05,0.10,0.15)的多晶样品在4.2K～3300K的电阻率和液氮温区内的热电势的测量,发现(La1-xSmx)1 85Sr0.15Cu4的电阻率在高温区呈现出线性关系,其斜率也随着x的增大而增大,在x=0.10时达到最大,而在Tc到1100K的温区,随着Sm含量的增加,则呈现出由金属行为到类半导体行为的转变,同时超导温度Tc也随着降低.液氮温区内的温差热电势行为反映了随着Sm含量的增加,体系的载流子浓度也随之降低.
关键词:
