高欣
,
杨生胜
,
冯展祖
,
曹洲
,
马亚丽
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.249
对1.55μm波长DFB结构的InGaAsP多量子阱激光二极管开展电子和60Co-γ射线辐照试验。试验结果表明，激光二极管的斜度效率主要受带电粒子沉积的电离总剂量影响，而阈值电流和光功率主要受位移损伤剂量的影响。利用位移损伤剂量方法评价激光二极管的辐射损伤特征，并且预测其在空间辐射环境中的光功率衰退情况。模拟计算结果表明，MEO轨道辐射环境对激光二极管光功率辐射损伤远大于GEO轨道的影响，这主要是由于MEO轨道辐射环境的高能电子通量密度远大于GEO轨道的通量密度。
关键词:
光电器件
,
辐射效应
,
位移损伤
,
总电离剂量
