曹德峰
,
邢丕峰
,
韦建军
,
易泰民
,
杨蒙生
,
郑凤成
,
李朝阳
,
谢军
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.025
采用直流磁控溅射技术,制备了厚度为3.8μm的Mo薄膜,并对其在不同温度下进行了退火处理.采用白光干涉仪和SEM对Mo薄膜进行了表征,讨论了不同温度对薄膜表面形貌的影响；利用XRD对M薄膜的结构进行了分析.结果表明:随着退火温度由450℃升高到1 050℃,晶粒平均尺寸逐渐增大,微曲应力呈减小趋势；在温度高于900℃时,薄膜发生再结晶,同时表面有微裂缝及大量气孔出现；薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高有逐步增大的趋势.
关键词:
Mo薄膜
,
微观应力
,
退火温度
曹德峰
,
万小波
,
邢丕峰
,
易泰民
,
杨蒙生
,
郑凤成
,
徐导进
,
王昆黍
,
楼建设
表面技术
利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加；低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松；在工作气压为0.8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小.
关键词:
Mo薄膜
,
直流磁控溅射
,
工作气压
,
晶粒尺寸
,
微观应力
