黄君
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毛智彪
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景旭斌
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曹坚
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甘志峰
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李芳
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崇二敏
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孟祥国
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李全波
功能材料与器件学报
相对来讲,i线(i-line)抗酸性要大大强于KrF而不容易产生类似的缺陷,但器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率(Resolution)和焦深(Depth of Focus)的限制,双栅极(Dual Gate)蚀刻所用光刻胶由之前通用的i-line(波长365nm)改成KrF(波长248nm).由于这种缺陷会导致在双栅极氧化层湿法蚀刻后应该被蚀刻去除的栅极氧化层有残留,最终导致核心器件区栅极氧化层厚度不均匀而影响器件的性能.因此,KrF抗酸性研究就成为器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后的一个课题.本文主要阐述了对双栅极氧化层湿法刻蚀中KrF光刻胶在DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)中浸泡去除清洗过程中出现的隐形残留缺陷问题的发现,并且研究产生这种由于缺乏抗酸性而产生缺陷的机理,进而阐述通过多项基于这种现象和机理的DHF工艺蚀刻时间、光刻胶显影后烘焙硬化处理、UV光照处理、等离子体抗酸处理等实验过程及效果,最终总结出有效的解决方案:基于低温(摄氏90度)、低功率(小于1000W)下的以氧气和氮氢混合气为反应气体的Descum等离子处理非常有效地解决了光刻胶在酸液中形成残留缺陷的问题.
关键词:
曹坚
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吕振兴
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单雪娇
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朱红妹
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张义邴
低温物理学报
以廉价的B4C粉和Mg粉为原料,用真空固相反应法成功制备了复相MgB2-B4C超导材料,通过X-射线和扫描电子显微镜分析了样品的成相和织构,除MgB2、B4C和MgB2C2外样品中未明显检测到其它杂相,其中MgB2相含量高达87.7%.电阻-温度特性测量表明,所制备的样品零电阻温度Tc(0)=31.5 K,转变宽度(Tc=1.5K.零场10K下临界电流密度Jc＞0.5×106A/cm2,在10K-5T下,Jc也可达到104A/cm2.实验表明较高含量的B4C不会严重削弱MgB2的超导电性,临界温度和载流能力仍然很高预示复相MgB2-B4C材料可作为一种廉价的实用超导材料.
关键词:
B4C
,
MgB2
,
超导体
,
固相反应
吕振兴
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曹坚
,
单雪娇
,
朱红妹
,
张义邴
低温物理学报
以B4C粉末与Mg粉为原料,采用真空同相反应法成功制备了复相MgB2超导块材,研究了不同制备工艺下MgB2的成相,测量分析了材料的X射线衍射谱、扫描电镜图像、低温电输运特性等.结果显示,合成的复相超导材料含MgB2超导相、B4C绝缘相和少量MgB2C2杂相,MgB2超导相含量与B4C粒径、合成温度、反应时间等有关,并在30%～85%范围内分布.以粒径牌号W3.5(＜5(m)的B4C与200目粒径Mg粉为原料、烧结温度800℃、保温时间1小时下制备的样品,MAUD(Material Analysis Using Diffraction)软件测得样品中MgB2的含量高达83.2%,其临界转变温度Tc0为31.5 K,起始转变温度Tc+on达34.0 K.零场10K下临界电流密度Jc高于0.5×106A/cm2.本文给出的原位合成不同超导相含量的MgB2复相超导材料对研究MgB2晶粒间弱连接特性具有重要意义,合成的超导材料晶粒尺度大,临界电流密度高,合成成本低廉,可应用于液氦温区和制冷机提供的20K温区的超导强电领域.
关键词:
MgB2
,
B4C
,
复相超导体
,
掺杂
