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铜对双靶共溅制备热电薄膜输运性能的影响

曹丽莉 , 王瑶 , 邓元 , 罗炳威 , 祝薇 , 史永明 , 林桢

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13385

采用双靶共溅法制备了铜掺杂的碲化铋锑热电薄膜,铜与碲化铋锑共溅的方法有利于形成沿c轴方向择优生长的碲化铋锑薄膜.结果表明,铜原子均匀的掺杂在碲化铋锑薄膜材料中.由于铜原子有利于提高载流子迁移率,薄膜材料的电导率随着铜掺杂比例的提高得到了极大的提升.当铜靶的溅射功率为20W时,可以得到最高的电导率,同时功率因子的最佳值可提升到20 μW/(cm·K2).

关键词: 半导体 , 薄膜 , 热电性能 , 磁控溅射

蓝色长余辉发光材料Sr2MgSi2O7:Eu2+,Ln3+的合成和性质

翟永清 , 孟媛 , 曹丽莉 , 周健

材料导报

采用凝胶-燃烧法合成了系列稀土掺杂的Sr2MgSi2O7:Eu2+0.02,Ln3+0.04(Ln=La,Ce,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm)蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明:掺杂了不同稀土离子的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Ln3+的晶体结构均为四方晶系结构;其激发、发射光谱的峰形、峰位基本无变化,激发光谱为一宽带,最大激发峰位于402nm处,次激发峰位于415nm处,与高温固相法制得的样品相比,激发峰发生了明显的红移;发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于468nm附近,是由典型的Eu2+的4f5d-4f跃迁导致的,不同之处在于其激发光谱、发射光谱强度与余辉性质有所差别,其中Dy3+是最理想的共掺杂稀土离子,Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的亮度最高、余辉时间最长,可达5h以上;而Sr2MgSi2O7:Eu2+,Sm3+的发光强度最低,余辉时间最短.

关键词: Sr2MgSi2O7:Eu2+,Ln3+ , 凝胶-燃烧法 , 激发光谱 , 发射光谱 , 长余辉

碲化铋取向纳米柱状薄膜热导率测量

邱琳 , 郑兴华 , 岳鹏 , 唐大伟 , 曹丽莉 , 邓元

工程热物理学报

将热电材料制作成纳米柱状薄膜结构是一种理论上能有效降低热导率、从而大幅提升热电优值的搡控手段.但是随之而来的问题是纳米柱状薄膜热导率的精确获取困难,因为常规的热物性测试手段已无法适用于该类表面多孔、厚度为微米量级结构热输运特性的表征.本文提出利用3ω方法可实现Bi2Te3取向纳米柱状薄膜热导率实验表征的测量结构,并且获得了纳米柱状薄膜的热导率和热扩散率值.该方法有望用于微米厚纳米柱状薄膜结构热输运性能的实验评价.

关键词: 碲化铋 , 热电 , 纳米柱状薄膜 , 热导率

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