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对甲苯磺酸(PTSA)对DAST晶体生长、表征的影响

郝伦 , 滕冰 , 曹丽凤 , 钟德高 , 孙箐 , 由飞 , 常清

人工晶体学报

向4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐(DAST)甲醇溶液中加入对甲苯磺酸(PTSA),从中生长出DAST晶体.测试了纯生长溶液和加入PTSA后溶液的亚稳区,发现PTSA能够明显增加DAST生长溶液的亚稳区的宽度.通过粉末XRD和FTIR分别测试了PTSA掺杂和未掺杂溶液中生长的DAST晶体的晶体结构和官能团,测试结果表明PTSA并不会改变其晶体结构.溶液的稳定性有助于生长出大尺寸DAST晶体.

关键词: 晶体生长 , 对甲苯磺酸 , DAST , 亚稳区

ADP晶体的全方位生长方法研究

马江涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 温吉龙 ,

人工晶体学报

采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.

关键词: ADP晶体 , 全方位生长 , 理想外形 , 生长速度

耐磨陶瓷/聚合物(高分子)涂层的研究

曹丽凤 , 蔡舒 , 陈建军 , 于显著 , 肖张莹

稀有金属材料与工程

以环氧树脂为基材,通过聚合物体系的优化,添加亚微米级氧化铝(平均粒径0.58 μm)陶瓷颗粒,制备了耐磨陶瓷/聚合物涂层.研究表明:在冲蚀条件下,添加Al2O3所制得复合涂层,其耐磨性较环氧树脂基质涂层有明显提高;当Al2O3的(质量分数,下同)为20%时,涂层可在较短的时间内达到稳定的磨损率.通过扫描电镜观察了涂层的表面摩擦形貌,陶瓷/聚合物涂层的磨损率的实现,主要源于在冲蚀过程中涂层内裸露的硬质陶瓷颗粒所产生的"阴影效应",以及与此同时胶粘剂所起到的耗散冲击能量的作用.在冲蚀条件下,涂层主要以显微切削、犁沟和软基体的选择磨损及硬质点被挖出脱落为主.

关键词: 耐磨性 , 陶瓷/聚合物涂层 , 磨损机理

Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4混晶的生长和材料性质

张炳涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 李建宏 ,

人工晶体学报

采用提拉法生长出Ybb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体.在室温下,对Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体进行了XRPD测试,计算了晶格常数(a=b=0.7091 nm,c=0.6273 nm)和密度(4.826 g/cm3).对混晶的(100)面进行了腐蚀,腐蚀坑呈四棱锥形状.平均线膨胀系数α1=1.285×10-6 K-1,α3=7.030 ×10-6 K-1,温度在330.15 K和570.15 K之间变化时,比热为0.494 ~0.617 J/g·K.

关键词: 钒酸盐晶体 , 腐蚀坑 , 膨胀系数 , 比热 , 热导率

ADP晶体的全方位生长装置

马江涛 , 滕冰 , 钟德高 , 曹丽凤 , 温吉龙

人工晶体学报

本论文研究的全方位生长装置能解决常规的ADP晶体的单向生长问题.在这套装置中,籽晶完全位于溶液中央,籽晶可以首先恢复其理想的结晶学外形.在晶体生长过程中,晶体在各个方向的生长均为自由生长,且育晶器中央的溶液稳定性也明显高于育晶器顶部和底部.这些因素都有利于ADP晶体的优质快速生长.实验所得晶体的质量通过透过率、晶体内缺陷位错密度、高分辨率X射线衍射表征,并将所得结果与常规方法进行了比较.

关键词: ADP晶体 , 全方位生长 , 理想外形 , 生长装置

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