杨向荣
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张明
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王晓临
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曹万强
材料导报
大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势,随着集成度的提高,芯片制造中最关键的制造工艺--光刻技术也面临着愈来愈多的难题.新兴的193 nm浸入式技术、157 nm极短紫外光刻(Euv)、电子束投影光刻(EPL)、纳米压印光刻等技术将是解决这些问题的关键.介绍了193nm浸入式技术、157nm光刻技术、电子束投影(EPL)光刻技术以及纳米压印光刻技术.指出纳米压印光刻技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点,能实现分辨率达5 nm以下的水平,是最具发展前途的下一代光刻技术之一.
关键词:
光刻
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光源
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曝光
