曲轶
,
薄报学
,
高欣
,
张宝顺
,
张兴德
,
石家纬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.036
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.
关键词:
分子束外延
,
阵
,
半导体激光器
薄报学
,
宋晓伟
,
王玲
,
曲轶
,
高鼎三
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.032
在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上,针对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求,研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法,同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响.
关键词:
光束整形
,
半导体激光器
,
腔内倍频
,
转换效率
