景亚霓
,
钟传杰
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.003
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响.实验结果表明,加入H1使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3.FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加.此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8 sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40土0.05)V降低到(0.10士0.01)V.基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化.
关键词:
等离子增强化学气相淀积
,
氮化硅
,
氢气添加
,
光学带隙
,
高频电容-电压特性
景亚霓
,
胡文华
,
张平
,
魏志芬
,
唐正宁
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.009
利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜.研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响.实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66 nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096 eV减小为0.046 eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度.
关键词:
PEDOT/PSS
,
喷墨印刷
,
导电聚合物薄膜
,
导电性能
景亚霓
,
王乐
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0681
本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制.对实验结果拟合分析表明,在0～1 V电压范围内,其漏电主要是Poole-Frenkel机制控制;在1～25 V电压范围内,主要是以肖特基发射电流为主;而在35～40 V的电压范围内,绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流.
关键词:
OTFT
,
双层栅绝缘膜
,
漏电机制
景亚霓
,
滕支刚
,
魏志芬
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.1077
利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V??s)和0.0024(cm/V)1/2；阻抗谱法测试的器件 Tips-PEN 厚度为827 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V??s)和0.00347(cm/V)1/2.稳态 SCLC 法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态 SCLC 需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度.这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
阻抗谱
,
迁移率
