闫勇
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张艳霞
,
李莎莎
,
晏传鹏
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刘连
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张勇
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赵勇
,
余洲
功能材料
采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜，研究了不同的真空无硒退火温度（150～350。C）对CIGs薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外一可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明，室温下制备的CIGS薄膜为非晶态，随退火温度升高发生非晶CIGS→，CuSe→，CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低，光透过性能最差。退火温度超过200。C便生成CIGS相，C1GS相的结晶质量随退火温度升高而改善，薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
关键词:
退火温度
,
射频磁控溅射
,
CIGS薄膜
,
相变历程
黄涛
,
闫勇
,
黄稳
,
张艳霞
,
晏传鹏
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
功能材料
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM（扫描电子显微镜）、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层（背接触层）。
关键词:
Mo薄膜
,
直流磁控溅射
,
电阻率
王丹
,
余洲
,
冀亚欣
,
闫勇
,
欧玉峰
,
晏传鹏
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.025
综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响.
关键词:
CIGS电池
,
粉末冶金
,
单靶溅射
,
光电性能
