陈进
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杨莺
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邢青青
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张力
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晁苗苗
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穆美珊
人工晶体学报
采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60 ℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L.XPS测试结果表明钝化后的6H-SiC表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度.实验结果与第一性原理计算结果相吻合.
关键词:
碳化硅
,
S钝化
,
I-V
,
XPS
