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退火温度对Mo薄膜微观结构及形貌的影响

曹德峰 , 邢丕峰 , 韦建军 , 易泰民 , 杨蒙生 , 郑凤成 , 李朝阳 , 谢军

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.025

采用直流磁控溅射技术,制备了厚度为3.8μm的Mo薄膜,并对其在不同温度下进行了退火处理.采用白光干涉仪和SEM对Mo薄膜进行了表征,讨论了不同温度对薄膜表面形貌的影响;利用XRD对M薄膜的结构进行了分析.结果表明:随着退火温度由450℃升高到1 050℃,晶粒平均尺寸逐渐增大,微曲应力呈减小趋势;在温度高于900℃时,薄膜发生再结晶,同时表面有微裂缝及大量气孔出现;薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高有逐步增大的趋势.

关键词: Mo薄膜 , 微观应力 , 退火温度

纯钛微台阶精密连接技术

杨蒙生 , 邢丕峰 , 赵利平 , 李朝阳 , 高莎莎 , 郑凤成 , 易泰民 , 马小军

稀有金属材料与工程

纯Ti微台阶为ICF研究中重要的基础靶型,由于物理实验的高度精密性,传统加工方法不能满足靶制备需求.研究了纯Ti微台阶的精密扩散焊接技术,获得高质量的标准台阶,其表面粗糙度Rq<100 nm、厚度一致性<100 nm、界面连续无显微缺陷、晶体结构均匀,未检测出杂质.

关键词: , 微台阶 , 精密连接

真空热压技术制备EOS实验用LiH薄膜

谢军 , 邢丕峰 , 易泰民 , 赵利平 , 李朝阳 , 杨蒙生 , 郑凤成 , 张林

稀有金属材料与工程

氢化锂(LiH)是重要的热核材料,其状态方程参数是惯性约束聚变研究的重要内容.本工作采用真空热压技术制备氢化锂薄膜,在真空度小于5.0×10-4 Pa,温度450℃,升温速率10 ℃/min,采取分段加压、退火,获得了厚度小于100 μm、厚度一致性约98%的氢化锂薄膜,表面粗糙度小于100 nm,热压后密度增加,达到0.780 g/cm3.X射线衍射分析结果表明:薄膜的主要成分为氢化锂,薄膜存在择优取向、内应力、晶粒细化等特征.

关键词: 氢化锂 , 薄膜 , 热压 , 状态方程

工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

曹德峰 , 万小波 , 邢丕峰 , 易泰民 , 杨蒙生 , 郑凤成 , 徐导进 , 王昆黍 , 楼建设

表面技术

利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0.8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小.

关键词: Mo薄膜 , 直流磁控溅射 , 工作气压 , 晶粒尺寸 , 微观应力

金属钨箔膜的制备研究进展

宋萍 , 邢丕峰 , 谌家军 , 李朝阳 , 谢军 , 易泰民 , 林华平

稀有金属材料与工程

具有体密度的高表面质量金属钨薄膜对材料高压状态方程研究具有十分重要的意义.综述了钨箔膜制备的几种方法,包括化学气相沉积、物理气相沉积、机械轧制、机械研磨抛光、化学抛光和电解抛光.综合比较后认为,采用电解抛光法可以基本满足状态方程靶用钨箔膜的需要.电解抛光可以制备表面质量比较高,厚度最小可达几微米的金属箔材,密度与原料相同,而且不会产生内应力、表面硬化、表面沾污问题,是制备低表面粗糙度、具有块材组织结构和密度材料的一种重要手段.

关键词: 钨箔膜 , 制备技术 , 表面粗糙度 , 电解抛光

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