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注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究

张恩霞 , 孙佳胤 , 易万兵 , 陈静 , 金波 , 陈猛 , 张正选 , 张国强 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.008

采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.

关键词: 氧氮共注 , 氮氧共注隔离 , SIMON , SOI , 注入剂量

氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究

易万兵 , 陈猛 , 陈静 , 王湘 , 刘相华 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.004

实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备 SOI(Silicon On Insulator)材料埋层结构的影 响.用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化.研究表明, 氢离子的注入有利于注氧隔离制备的 SOI材料埋层的增宽.进一步的结果表明,室温氢离子注入 导致的增宽效应比高温注入明显.

关键词: 注氧隔离 , 氢、氧复合注入 , 埋层增宽

TiN薄膜的循环制备和电学性质

易万兵 , 张文杰 , 吴瑾 , 邹世昌

材料研究学报

用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 制备了TiN薄膜, 通过不同循环制备的、 厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质. 结果表明, 多次循环会引入界面而增大电阻率, 与薄膜成分和微结构分析的结果一致. 得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低. 通过相同循环、 不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较, 发现介窗(Via)直径越小, TiN薄膜对介窗电阻的影响越大.

关键词: 金属材料 , null , null , null

TiN薄膜的循环制备和电学性质

易万兵 , 张文杰 , 吴瑾 , 邹世昌

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.020

用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)制备了TiN薄膜,通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质.结果表明,多次循环会引入界面而增大电阻率,与薄膜成分和微结构分析的结果一致.得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低.通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较,发现介窗(Via)直径越小,TiN薄膜对介窗电阻的影响越大.

关键词: 金属材料 , TiN , MOCVD , 等离子体处理 , 薄膜电阻

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