许小亮
,
何海燕
,
刘洪图
,
施朝淑
,
葛惟昆
,
Luo E Z
,
Sundaravel B
,
Wilson I H
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.002
我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电子,导致发光猝灭.而经一定条件的退火处理,可使深的电子陷阱发生变化,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复.由于注入样品的电阻率高达1012 Ωcm, 因此不能用已有的常规方法测量.我们为此发展了一种称为"光增强电流谱"(PSCS)新方法,用于测量高阻样品中的深能级.研究发现,在经过快速退火处理的样品中,不能消除由于注入产生的准连续深能级带;而在某种常规条件退火的样品中,发现了5个位于导带下1.77eV, 1.24eV, 1.16eV, 0.90eV和0.86eV的深电子陷阱,它们都是Al+ 注入经退火后形成的稳定结构.实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构,虽不能使GaN的本征发光得到恢复,但对黄色荧光的恢复是有利的.此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响.PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级,而不仅仅适用于测量Al+注入GaN产生的深陷阱能级.
关键词:
退火
,
离子注入
,
GaN
,
深能级
黄朝红
,
陆磊
,
周东方
,
秦青海
,
李运奎
,
殷绍唐
,
施朝淑
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.006
本文研究了大尺寸、高光学质量无机闪烁晶体Ce3+:YAG的生长,并对它的吸收光谱和荧光光谱进行了测量和分析.在克服了晶体易开裂和出现宏观缺陷的情况下,采用提拉法成功生长出直径达45mm的Ce3+:YAG单晶.光谱测量表明晶体具有优良的光学性能.并已经在大规模集成电路的检测上得到应用.
关键词:
闪烁晶体
,
Ce3+:YAG
,
提拉法单晶生长
,
光谱测量
施朝淑
,
戚泽明
无机材料学报
综述了近几年来长余辉发光材料研究的最新进展,包括三方面:新材料研制,新应用领域的开拓和发光机理研究的模型.材料方面,主要介绍了红光、蓝光研究的进展与获得长余辉发光的关键因素-结构缺陷形成的陷阱态,以及稀土掺杂的作用.为促进新材料的研究着重概述了对长余辉发光机理研究的新进展,除了载流子传输与隧穿效应外,还介绍了两种最新观点;双光子吸收与VK中心模型,并对其存在的问题作了评述.应用方面,除了已有的弱光照明与显示领域外,还在向光电信息功能,特别是二维图像存储,高能粒子射线探测方面发展.
关键词:
长余辉（寿命）
,
defect
,
luminescence
黄朝红
,
张庆礼
,
周东方
,
王爱华
,
殷绍唐
,
施朝淑
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.003
铈激活钇铝石榴石(Ce3+∶YAG)单晶是综合性能优良的快衰减闪烁材料.本文以普通光源、激光、同步辐射以及阴极射线为激发源,对我们生长的Ce3+∶YAG闪烁晶体的激发和发光特性进行了系统的研究.结果表明:Ce3+∶YAG单晶的激发光谱(监测荧光波长为545nm)由五个激发峰组成.不同激发条件下的发射光谱均能用双高斯峰进行较好的拟合,拟合后得到的Ce3+的5d→2F5/2和5d→2F7/2发光带的中心波长分别约为520nm和570nm.但是,不同条件激发下5d→2F5/2和5d→2F7/2发光带的强度比有较大差异,这可能与不同的激发机制和激发能传输途径有关.
关键词:
Ce3+:YAG
,
闪烁体
,
激发特性
,
发光特性
许小亮
,
王烨
,
赵亚丽
,
牟威圩
,
施朝淑
功能材料
通过直流溅射沉积法在玻璃衬底上制备了不同生长条件下的纳米金薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行表面形貌分析.XRD 图显示Au膜具有(111)面择优取向;AFM图显示,在不同的生长阶段Au膜具有不同的表面微结构.总结了不同的工艺条件对薄膜晶粒生长的影响,这项研究对实现金属薄膜的可控性生长有重要意义.
关键词:
晶粒生长
,
纳米金
,
表面形貌
,
磁控溅射
