方频阳
,
樊慧庆
,
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.06.022
通过固相合成的方法制备了Bi3.25LaxTi3O12(x=0.98～1.03,简称BLT)陶瓷.通过XRD,SEM和阻抗分析仪表征了陶瓷的晶体结构和晶体形貌,测试了陶瓷的介电频谱,结果表明陶瓷的晶体结构为典型的层状钙钛矿结构且不随Bi含量和温度的变化而改变;随着Bi含量的增加晶体形貌由棒状颗粒向片状颗粒转变,而且陶瓷的致密度也得到提高;介电常数随Bi含量的增加先增大后减小,并且在x=1.02时达到最大值.
关键词:
铋层状钙钛矿结构
,
BLT
,
介电性能
,
铁电陶瓷
李晓娟
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惠增哲
,
龙伟
,
方频阳
人工晶体学报
采用固相烧结工艺制备了钙钛矿结构的(K0.5Na0.5)NbO3+ xwt％ZnO(x=0,0.5,1.0,2.0)无铅压电陶瓷.研究了ZnO掺杂对(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷体系烧结行为和电学性能的影响.结果表明:ZnO掺杂能够有效地降低陶瓷烧结温度,抑制K和Na的挥发,提高陶瓷的致密性.当掺杂量为0.5 wt％、烧结温度为1115℃时,陶瓷的体积密度最大p=4.41 g/em3.所有样品的晶粒形态均为层状堆垛结构,晶粒尺寸越大,层状堆垛形态越明显.晶粒形态和尺寸的变化与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷烧结过程中液相的形成和晶粒生长机制有关.适量的液相能够有效地提高陶瓷的致密性,获得均匀的微结构.当x=0.5、烧结温度为1115℃时,陶瓷具有最佳的电学性能:d33=118pC/N,kp=0.36,Pr=15.6 μC/cm2.
关键词:
铌酸钾钠
,
ZnO掺杂
,
烧结
,
电性能
李晓娟
,
惠增哲
,
龙伟
,
方频阳
人工晶体学报
采用传统固相反应法制备了0.94(Na0.5 Bi0.) TiO3-0.06BaTiO3-3wt％ Bi2 O3-xwt％ Nd2O3(x=0,1.5)陶瓷.研究了Bi3+和Nd3+掺杂对0.94 (Na0.5 Bi05)TiO3-0.06BaTiO3陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明,Bi2O3和Nd2O3掺杂不影响0.94(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.06BaTiO3的钙钛矿结构.3wt％ Bi2O3添加使得铁电陶瓷0.94(Na0.5Bi05) TiO3-0.06BaTiO3转变为反铁电陶瓷.反铁电陶瓷0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06BaTiO3-3wt％ Bi2O3具有更高的相转变温度Tm(～320℃).Nd2O3添加不改变0.94(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.06BaTiO3-3wt％ Bi2O3陶瓷的反铁电态,但增强了陶瓷的介电性能和弛豫性能.
关键词:
钛酸铋钠基陶瓷
,
掺杂
,
反铁电
,
介电
赵金
,
惠增哲
,
李晓娟
,
龙伟
,
方频阳
,
楚兴
人工晶体学报
采用高温溶液法生长了准同型相界(MPB)四元弛豫铁电单晶Pb(Sc1/2Nb1/2) O3-Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3,得到较大尺寸且具有规则外形的立方单晶.研究结果表明所生长的晶体为钙钛矿结构,立方晶粒平整的暴露面均为(001)面;晶体以层状方式生长,生长机制为搭桥生长;所生长晶体的矫顽场Ec～3.52kV/cm,三方四方相变温度Tr-t～104℃,居里温度Tc～149.5℃,压电常数d33～1089 pC/N,剩余极化强度Pr～25.4 μC/cm2;随着频率增加,晶体的相变弥散度减小.
关键词:
铁电单晶
,
PSN-PMN-PT-PZ
,
晶体生长
,
表征
