斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00545
采用分子束外延方法在II-VI族Cd 0.98 Zn 0.02 Te(111)衬底上实现了异系IV-VI族半导体(PbTe)的外延生长. 原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明, PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成; 理论计算表明, 螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响. 通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察, 发现在PbTe和Cd 0.98 Zn 0.02 Te界面处存在Frank位错. 分析表明, 这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态, 位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
surface structure
,
dislocation
斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.025
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
表面微结构
,
位错运动
王元樟
,
陈路
,
巫艳
,
吴俊
,
于梅芳
,
方维政
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.018
本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.
关键词:
分子束外延
,
晶格失配
,
晶向倾角
,
孪晶
王元樟
,
陈路
,
巫艳
,
吴俊
,
于梅芳
,
方维政
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.034
本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.
关键词:
CdTe/GaAs
,
CdTe/Si
,
热应变
,
高分辨率多重晶多重反射X射线衍射
,
分子束外延
王庆学
,
魏彦锋
,
方维政
,
杨建荣
,
何力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.025
采用高分辨 X射线衍射的倒易空间图研究了 HgCdTe/CdZnTe(- 0.044%晶格失配 )液相外 延材料界面处晶格结构,结果显示,通常使用的 10μ m厚的碲镉汞液相外延材料的晶格相对碲锌镉 衬底已处于完全弛豫状态,并且外延层和衬底的晶向发生了 0.01°的偏离,但是,由于外延层中存在 着组分梯度以及衬底和外延层热膨胀系数存在着差异,界面处外延层中仍存在着应力和应变.对 称衍射和非对称衍射的实验结果均显示外延材料的倒易空间图沿垂直于散射矢量方向有所扩展, 这一结果表明晶格失配的弛豫使得界面处外延层的晶体结构呈镶嵌结构.实验也发现,外延层的 非对称衍射倒易空间图的扩展偏离散射矢量方向,根据弛豫线模型,这也是由于界面处外延层存在 组分梯度和应变梯度所造成的.
关键词:
HgCdTe/CdZnTe
,
倒易空间图
,
弛豫线模型
