刘卫华
,
李有群
,
方文卿
,
周毛兴
,
刘和初
,
莫春兰
,
王立
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
关键词:
Si衬底
,
GaN
,
LED
,
理想因子
李冬梅
,
李璠
,
苏宏波
,
王立
,
戴江南
,
蒲勇
,
方文卿
,
江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
戴江南
,
王立
,
方文卿
,
蒲勇
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.006
以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射技术测得其对称衍射 (0002)面ω扫描半峰宽 ( FWHM)为 404arcsec,表明所生长的 ZnO膜具有相当一致的 C轴取向;其对称衍射( 0004)面ω- 2θ扫描半峰宽为 358arcsec,表明所生长的 ZnO单晶膜性能良好;同时,该 ZnO薄膜的非对称衍射 (1012)面ω扫描半峰宽为 420arcsec,表明所生长的 ZnO膜的位错密度为 108cm- 2,与具有器件质 量的 GaN材料相当.
关键词:
MOCVD
,
ZnO
,
GaN
,
X射线双晶衍射
李述体
,
江风益
,
范广涵
,
王立
,
莫春兰
,
方文卿
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.017
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关.随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大.未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关.研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同.
关键词:
薄膜光学
,
GaN
,
卢瑟福背散射/沟道
,
X射线双晶衍射
,
光致发光
莫春兰
,
方文卿
,
王立
,
刘和初
,
周毛兴
,
江风益
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.013
与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注.本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展, 同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31 Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED.
关键词:
发光二极管
,
GaN
,
Si衬底
