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碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

唐世红 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 高德友 , 陈俊 , 张冬敏 , 何知宇 , 方军 , 洪果

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023

用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.

关键词: 碲锌镉 , 正电子湮没技术 , 寿命 , 退火

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

张冬敏 , 朱世富 , 赵北君 , 高德友 , 陈俊 , 唐世红 , 方军 , 程曦

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010

报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1~2个数量级,达到109~10Ω·cm,适合探测器的制备.

关键词: 碲锌镉晶片 , 表面处理 , 漏电流 , 电阻率 , 形貌

碲锌镉单晶片的退火方法

高德友 , 赵北君 , 朱世富 , 唐世红 , 何知宇 , 张冬敏 , 方军 , 程曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.003

探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.

关键词: 碲锌镉单晶片 , 退火 , 电阻率 , XRD , 红外透射谱

熔融织构YBCO单晶的层间耦合

王智河 , 胡永祥 , 张宏 , 方军 , 王胜 , 陈敬林 , 高秉均 , 曹效文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.015

在0~7.5T磁场范围内,采用膺磁通变压器结构(八电极), 测量了磁场平行于c轴时熔融织构生长的YBCO单晶上和下两个表面的电阻-温度关系.实验结果表明, 在测量仪表所能测量的精度范围内, 没有观测到Vtop等于Vbot的情况,Vtop总是大于Vbot.不同磁场下Vtop/Vbot随着温度的降低而变化; c-轴电阻的测量结果则表明, 样品沿c方向与ab面具有相似的超导电性, 且Tcc>Tabc, 这充分表明随着温度的降低, 层间耦合增强,在更低温度下具有3D特征.

关键词:

钙钛矿锰氧化物(Nd1-xLax)0.5Ca0.5MnO3体系中的铁磁再入现象

王芳 , 方军 , 黄真 , 田建军 , 张勇 , 陈治友 , 陈敬林

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.012

研究了(Nd 1- x La x ) 0.5Ca 0.5MnO 3(0≤ x ≤0.5)体系的X射线衍射谱,Raman吸收谱和电输运特性.通过电输运性质的测量给出了金属-绝缘转变温度 Tm 与 A 位离子平均半径之间的关联.结果表明,La 3+离子的掺杂压制低温下的电荷有序,导致金属-绝缘转变开始出现,且随掺杂浓度的增加,金属-绝缘转变( M-I )温度( Tm )向高温区移动,对应的峰值电阻率ρp 降低.X射线衍射谱和电输运特性均表明,La 3+离子的掺入使得 A 位平均离子半径()增大,导致局部晶格畸变减小.在掺杂量0.3≤ x ≤0.5的区域范围内,随着 x 的增加,双交换作用逐渐增强,有利于低温下铁磁态的形成.但热循环实验的研究结果表明,这种铁磁态属于亚稳态,在能量上反铁磁态比铁磁态更稳定.

关键词: 钙钛矿锰氧化物 , 金属-绝缘转变 , 离子尺寸效应

La1.4Sr1.6Mn2O7双层结构外延膜电子顺磁共振和输运性质

赵珠峰 , 李广 , 褚杰 , 范晓娟 , 陈敬林 , 方军 , 李晓光

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.01.012

本文研究了不同温度下、磁场与具有双层结构的La1.4Sr1.6Mn2O7外延膜膜面成不同角度θ时的电子顺磁共振谱,并测量了此薄膜材料的输运性质.发现在任一温度下,θ对ab平面上的铁磁态产生的谱峰的共振场位置几乎没有影响:而在c轴方向上的铁磁-顺磁转变温度Tcc以下,θ对c轴方向上的铁磁态产生的谱峰的共振场位置有着显著的影响.其原因可能有两个,一是c轴和ab平面方向上的磁性质由于结构因素的影响而存在着差异,即各向异性;二是在c轴方向上可能存在强烈的退磁效应,而在ab平面方向上退磁效应可以忽略不计.输运性质测量表明外加磁场明显地抑制了样品的电阻率ρ,样品表现出较强的磁电阻效应.

关键词:

双层钙钛矿锰氧化物La1.4(Ca1-xSrx)1.6Mn2O7的制备工艺对材料结构和性能的影响

李拥军 , 方军 , 黄真 , 刘智民 , 高秉钧

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.009

本文主要介绍了双层类钙钛矿锰氧化物La1.4Ca1.6Mn2O7及其掺杂样品不同的制备工艺,分析了它们的XRD和R-T图像,讨论了制备方法对材料结构以及电磁性能的影响.

关键词:

Cr掺杂对Nd0.7Sr0.3MnO3电磁性质的影响

田建军 , 方军 , 王芳 , 黄真 , 陈治友 , 陈敬林

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.019

我们对多晶样品Nd0.7Sr0.3Mn1-xCrxO3(x≤0.30)进行了X射线衍射谱、电阻温度关系和磁化强度测量.实验发现:随Cr掺杂量的增加,样品的电阻率变大,电阻峰温度和居里温度降低,这是由Cr的介入弱化了双交换作用所致;在x=0.10附近,电阻出现了双峰现象,在其M~T上没有发现与低温峰对应的磁性异常;在锰位磁矩与Cr含量的关系中发现,Cr掺杂对样品的磁性几乎无贡献;通过分析,我们用相分离的图象解释了有关的现象.

关键词: 钙钛矿锰氧化物 , 锰位掺杂 , 电阻双峰 , 相分离

聚丙烯酸/聚砜交联复合膜的反渗透分离性能的研究Ⅰ.膜的制备及其对多种有机物水溶液的分离性能

方军 , 黄继才 , 郭群晖 , 贾德民 , 大矢晴彦

高分子材料科学与工程

用TDI交联剂交联的方法,进行了聚丙烯酸/聚砜交联复合膜的制备,研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响,并通过扫描电镜观察了膜的截面结构,研究了该膜对多种有机物水溶液的分离性能.

关键词: 聚丙烯酸 , 聚砜 , 交联 , 复合膜 , 反渗透

层状钙钛矿钴氧化物Y1-xGdxBaCO2O5中稀土离子半径对电荷有序转变的影响

吴娜 , 张蕾 , 郗传英 , 方军

低温物理学报

研究了层状钙钛矿钴氧化物Y1-xG出BaCo2O5(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的结构和输运性质,结果显示它们具有相似的相变行为,从而证明GdBaCo2O5与YBaCo2O5一样,也存在电荷有序转变.结果还表明电荷有序转变温度随稀土离子半径增加而上升.

关键词: 层状钙钛矿 , 钴氧化物 , 电荷有序

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