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SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

文黎巍 , 周俊敏 , 苗挂帅 , 贾瑜 , 杨仕娥

人工晶体学报

用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能.计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的.

关键词: 第一性原理 , 吸附能 , 结构参数 , 反应机制

薄膜生长计算机模拟概论

文黎巍 , 郭巧能 , 丁俊 , 文书堂 , 杨仕娥

材料导报

阐述了计算机模拟薄膜生长的重要意义,介绍了计算机模拟薄膜生长的主要步骤和方法,重点阐述了蒙特卡罗和分子动力学方法的基本原理、关键问题及研究与应用进展,展望了薄膜生长计算机模拟的发展趋势.

关键词: 薄膜 , 计算机模拟 , 蒙特卡罗 , 分子动力学

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