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沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu2ZnSnSe4薄膜电池的影响

刘晓茹 , 李建军 , 刘玮 , 刘芳芳 , 敖建平 , 孙云 , 周志强 , 张毅

人工晶体学报

无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响.通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态.通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%).通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒.将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%.

关键词: 无镉缓冲层 , 化学水浴法 , Zn(O,S) , CZTSe薄膜电池 , 沉积时间

盐酸清洗缓蚀剂的研究进展

敖建平 , 孙国忠

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2000.09.001

介绍了我国90年代盐酸酸洗缓蚀剂的研究状况.盐酸酸洗缓蚀剂研究的重点是开发新型的高效、低毒、低成本缓蚀剂,并充分利用工业生产的副产品进行深加工,或利用天然植物进行加工、改性制备缓蚀剂,扩展原材料的来源.

关键词: 缓蚀剂 , 盐酸 , 清洗

多用酸洗缓蚀剂DSCH-2的性能研究

敖建平 , 曾为民 , 孙国忠 , 刘炳根 , 温承桥

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2001.01.001

在原先研究成功的DSCH-1型多用酸洗缓蚀剂的基础上，对缓蚀剂的配方、添加剂的影响、缓蚀机理等，进行了进一步的研究和改进，研制成新型的DSCH-2缓蚀剂，它适用于多种金属在多种酸中酸洗时的缓蚀。例如，20锅炉钢和紫铜在55±1℃的HCl中缓蚀效率分别达到98.9％和85.6％，缓蚀效果优良，缓蚀剂用量可大大降低，酸洗液长时间保持澄清，没有沉淀物，减少了对环境的污染。

关键词: 酸洗 , 缓蚀剂 , 动电位扫描

电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜

刘琪 , 冒国兵 , 万兵 , 敖建平

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2007.01.016

在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20 min.对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少.

关键词: 电沉积 , 退火 , CIGS薄膜 , 太阳电池

化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响

刘琪 , 冒国兵 , 敖建平

功能材料

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响.结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大.

关键词: 化学水浴沉积(CBD) , CdS薄膜 , 沉积时间 , Cu(In,Ga)Se2太阳电池

络合剂对化学水浴沉积 ZnS薄膜的影响

刘琪 , 冒国兵 , 敖建平

功能材料

采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等.结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构.柠檬酸钠体系沉积的ZnS 薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差.用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池.

关键词: 化学水浴沉积(CBD) , 络合剂 , ZnS薄膜 , Cu(InGa)Se2太阳电池

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