斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00545
采用分子束外延方法在II-VI族Cd 0.98 Zn 0.02 Te(111)衬底上实现了异系IV-VI族半导体(PbTe)的外延生长. 原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明, PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成; 理论计算表明, 螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响. 通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察, 发现在PbTe和Cd 0.98 Zn 0.02 Te界面处存在Frank位错. 分析表明, 这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态, 位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
surface structure
,
dislocation
斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.025
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
表面微结构
,
位错运动
王根水
,
石富文
,
孙璟兰
,
孟祥建
,
戴宁
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.004
采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(Ec)为65 kV/cm;100 kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著.
关键词:
LaNiO3
,
PbZr0.4Ti0.6O3
,
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
茅惠兵
,
陈静
,
李志峰
,
戴宁
,
朱自强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.027
主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性.CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品.用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性.实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性.还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态,并根据荧光参数估算了量子点的尺度.各样品荧光峰具有一致的半峰宽,表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成.
关键词:
半导体光电
,
量子点
,
CdSe
,
荧光
