陈彩云
,
于晓华
,
戴丹
,
江南
,
詹肇麟
,
刘忠
,
刘建雄
材料热处理学报
采用化学气相沉积法,以SiO2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响.选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征.结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在SiOJSi基板上获得高质量的单层石墨烯.
关键词:
石墨烯
,
SiO2/Si
,
镍膜
,
热化学气相沉积
陈彩云
,
戴丹
,
陈国新
,
巩金瑞
,
江南
,
詹肇麟
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.022
石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注.石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角.然而要实现石墨烯电子器件的构建,必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题.综述了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法制备石墨烯所产生的影响,分析比较了不同绝缘衬底的优缺点,并展望了石墨烯的发展及应用前景.
关键词:
石墨烯
,
电学性能
,
制备
,
绝缘衬底
李朋
,
赵昆渝
,
郭军
,
张晓娟
,
戴丹
,
黄峰
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2014.01.011
通过中频脉冲磁控溅射的方法,在玻璃基底上沉积得到了表面均匀性好、致密度高的钛薄膜.在NH4 F/乙二醇+H2O电解液体系中对该钛膜进行电化学阳极氧化.结果表明:30V恒电压下,当NH4F浓度从0.5％(质量分数,下同)增加到1％时,阳极氧化后形成的TiO2膜层逐渐从纳米孔结构转变成纳米管结构;当NH4F浓度低于0.75％时,随阳极氧化电压的增加,形成的TiO2膜层不会出现从纳米孔到纳米管结构的转变.
关键词:
钛膜
,
TiO2纳米孔
,
TiO2纳米管
,
氟离子浓度
,
阳极氧化电压
刘颖
,
戴丹
,
江南
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160422
以化学气相沉积(CVD)制备的单层石墨烯为原料,小分子三嗪为掺杂剂,采用吸附掺杂的方式,在低温下对石墨烯实现n型掺杂.利用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV)和霍尔效应测试仪(Hall)对样品的形貌、结构及电学性能进行表征.结果表明:该方法简单安全,能够对石墨烯实现均匀的n型掺杂,掺杂石墨烯的透光率达到95％.掺杂后石墨烯的特征峰G峰和2D峰向高波数移动.掺杂180 min后,载流子浓度达到4×1012/cm2,接近掺杂前的载流子浓度,掺杂后的石墨烯在450℃的退火温度下具有可逆能力,其表面电阻在300℃以下具有较好的稳定性.
关键词:
CVD石墨烯
,
三嗪
,
n型掺杂
,
载流子浓度
,
表面电阻
