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GaSe晶体的掺S生长及性能研究

黄昌保 , 倪友保 , 吴海信 , 王振友 , 肖瑞春 , 戚鸣

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150032

当生长掺S的GaSe单晶时，熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉，并结合坩埚旋转技术，成功生长出了较大尺寸的GaSe0.89S0.11单晶体(f20×60 mm3)。采用X射线粉末衍射仪、能谱仪、纳米压痕仪和傅里叶红外光谱仪测量其结构、成分、机械和光学性质。测试结果表明，质量分数为2.38%的 S掺杂的GaSe晶体(GaSe0.89S0.11)没有发生结构相变；它的机械性能得到了明显的改善，同时光学性能也得到了一定的提高。

关键词: GaSe0.89S0.11 , 掺杂 , 改进的Bridgman炉 , 坩埚旋转

红外非线性晶体CdGeAs2多晶合成

戚鸣 , 吴海信 , 王振友 , 黄昌保 , 倪友保 , 张春丽

人工晶体学报

高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用.原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs2多晶的纯度和质量.本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀问题;并在双温区炉中设计了合理的温场,合成了CdGeAs2多晶料.经X射线粉末衍射分析和晶胞精修表明样品为高纯、单相CdGeAs2多晶.

关键词: CdGeAs2 , 镀碳 , 多晶合成 , 双温区 , 晶胞精修

部分硫/硒(S/Se)红外非线性晶体原料的快速合成方法研究

倪友保 , 戚鸣 , 吴海信 , 黄昌保 , 王振友 , 张春丽

人工晶体学报

含有硫/硒(S/Se)元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位.高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但常规合成方法存在周期长、数量少等缺点.为此,针对部分S/Se化合物,我们对传统的合成方法进行优化、改进,实现GaSe,AgGaSe2,AgGaGeS4,AgGaGe5Se12等的快速合成,单次合成原料200～300 g,合成周期小于48 h,经过粉末衍射(XRD)测试表明合成的原料质量较好,能够生长出较大尺寸单晶.文中对快速合成方法的机理、存在的问题等也进行了相关讨论.

关键词: 硫/硒化合物 , 多晶合成 , 中红外非线性光学晶体

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