王军
,
成建波
,
陈文彬
,
杨刚
,
蒋亚东
,
蒋泉
,
杨健君
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.02.029
采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃~400℃)下退火处理.研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响.XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222).随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%.
关键词:
薄膜
,
氧化铟锡(ITO)
,
退火
,
直流磁控溅射
,
方阻
王军
,
祁康成
,
成建波
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2004.04.002
研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.
关键词:
多晶硅
,
薄膜
,
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
,
退火