黎午升
,
惠官宝
,
崔承镇
,
史大为
,
郭建
,
孙双
,
薛建设
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0544
实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5 μm等间隔线的光强分布.根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角.实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性.使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力.
关键词:
相移掩膜
,
等间隔线
,
模拟
,
曝光容限
,
解像力
张锋
,
薛建设
,
喻志农
,
周伟峰
,
惠官宝
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0163
介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展.量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们 的重视,成为显示领域新的研究热点.
关键词:
量子点
,
发光二极管
,
显示器件
,
色域
冯京
,
徐传祥
,
张方振
,
惠官宝
,
张锋
,
姚琪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163106.0525
分析了白色光阻材料在不同温度、不同厚度和不同化学品浸泡下色度值、分辨率和附着力的变化情况.验证了白色光阻材料在 OGS(One glass solution)触摸屏生产中的工艺条件.首先,关注白色光阻材料的光密度值(OD值)、分辨率、耐化性、耐高温性能以及在不同厚度下白色光阻材料的色度变化.然后对白色光阻材料和触摸屏制作工艺进行工艺整合,提出了采用白色光阻加黑矩阵的双层结构,可以保证白色光阻材料的 OD值,防止后面的金属线被透视出来,其中白色光阻的厚度控制在15μm,黑矩阵的厚度在1．2μm.在后续的 Photo 工艺时,调整工艺参数,加大了 PR 的厚度并加大曝光显影时间,成功解决了这种高段差造成的金属线 Open和 Remain问题,并采用 OGS工艺制作了白色光阻触摸屏样品.
关键词:
白色光阻
,
色度
,
耐化性
,
光密度
高锦成
,
李正亮
,
曹占锋
,
姚琪
,
关峰
,
惠官宝
硅酸盐通报
为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。
关键词:
铟镓锌氧化物薄膜晶体管
,
刻蚀阻挡层
,
N2 O等离子体
,
阈值电压
