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Ni—Ni_3Si系近共晶合金深过冷形核规律

惠增哲 , 杨根仓 , 吕衣礼 , 周尧和

金属学报

采用大体积液态金属的微观净化技术,在Ni—Ni3Si合金系中使Ni-(6.07—19.7)%Si和Ni-(20.5—22)%Si两组合金分别获得了最大达344和265K的极限形核过冷度,并使其极限过冷度保持20个循环过热周期不衰减.实验发现,Ni—Ni3Si系近共晶合金深过冷凝固时,Ni3Si总是领先于α(Ni)相形核.根据实验数据和表面异质形核速率模型,求得Ni3Si和α(Ni)相异质形核时的异质形校因子f(θ)分别为0.069和0.28;求得过冷熔体中Ni3Si和α(Ni)相等形核速率时的温度-成分曲线完全处于共晶点左侧,表明在近共晶成分过冷熔体中,小平面相Ni3Si易于α(Ni)形核

关键词: Ni—Si合金 , high undercooling , nucleation , catalytic factor

升温对[100]cub弛豫铁电PMN-32PT单晶电畴组态演变的影响

龙伟 , 惠增哲 , 李晓娟 , 罗海龙 , 焦藏桢

材料导报

采用热台偏光显微镜观察以ACRT+ Bridgman法获得、经过金相抛光处理的弛豫铁电PMN-32PT单晶[100]cub切型电畴组态,考察了未退火状态下[100]cub切型单晶的消光行为及连续升温对本征电畴与由抛光机械应力诱导非本征电畴组态的影响.结果表明,在升温过程中,PMN-32PT单晶非本征电畴在三方-四方铁电相变后消失;本征电畴组态的变化表现为两个阶段,第一阶段畴先细化后宽化,第二阶段进行铁电-顺电相变,相变过程缓慢,持续范围为168~177℃,且与三方-四方相变出现次序相反.

关键词: PMN-32PT单晶 , 电畴 , 相变 , 消光角

HgI2晶体最低生长温度的确定

许岗 , 谷智 , 坚增运 , 惠增哲 , 刘翠霞 , 张改

人工晶体学报

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

关键词: 碘化汞 , 物理气相沉积 , 最低生长温度

ZnO掺杂KNN陶瓷烧结行为与性能研究

李晓娟 , 惠增哲 , 龙伟 , 方频阳

人工晶体学报

采用固相烧结工艺制备了钙钛矿结构的(K0.5Na0.5)NbO3+ xwt%ZnO(x=0,0.5,1.0,2.0)无铅压电陶瓷.研究了ZnO掺杂对(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷体系烧结行为和电学性能的影响.结果表明:ZnO掺杂能够有效地降低陶瓷烧结温度,抑制K和Na的挥发,提高陶瓷的致密性.当掺杂量为0.5 wt%、烧结温度为1115℃时,陶瓷的体积密度最大p=4.41 g/em3.所有样品的晶粒形态均为层状堆垛结构,晶粒尺寸越大,层状堆垛形态越明显.晶粒形态和尺寸的变化与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷烧结过程中液相的形成和晶粒生长机制有关.适量的液相能够有效地提高陶瓷的致密性,获得均匀的微结构.当x=0.5、烧结温度为1115℃时,陶瓷具有最佳的电学性能:d33=118pC/N,kp=0.36,Pr=15.6 μC/cm2.

关键词: 铌酸钾钠 , ZnO掺杂 , 烧结 , 电性能

不同离子掺杂的钛酸铋钠基陶瓷结构与性能表征

李晓娟 , 惠增哲 , 龙伟 , 方频阳

人工晶体学报

采用传统固相反应法制备了0.94(Na0.5 Bi0.) TiO3-0.06BaTiO3-3wt% Bi2 O3-xwt% Nd2O3(x=0,1.5)陶瓷.研究了Bi3+和Nd3+掺杂对0.94 (Na0.5 Bi05)TiO3-0.06BaTiO3陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明,Bi2O3和Nd2O3掺杂不影响0.94(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.06BaTiO3的钙钛矿结构.3wt% Bi2O3添加使得铁电陶瓷0.94(Na0.5Bi05) TiO3-0.06BaTiO3转变为反铁电陶瓷.反铁电陶瓷0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06BaTiO3-3wt% Bi2O3具有更高的相转变温度Tm(~320℃).Nd2O3添加不改变0.94(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.06BaTiO3-3wt% Bi2O3陶瓷的反铁电态,但增强了陶瓷的介电性能和弛豫性能.

关键词: 钛酸铋钠基陶瓷 , 掺杂 , 反铁电 , 介电

正挤压态Mg-1Zn-1Ca合金的显微组织及其在SBF溶液中的腐蚀行为

张忠明 , 余凯 , 任伟伟 , 马莹 , 徐春杰 , 惠增哲

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2014.00652

通过合金化、均匀化热处理和正挤压制备Mg-1Zn-1Ca(质量分数,%)合金,采用电化学方法、浸泡腐蚀法研究合金在人体模拟体液(SBF)中的腐蚀行为.采用OM和SEM观察合金组织和腐蚀产物层形貌,用SEM附带的EDS分析合金相成分和腐蚀产物成分,采用Fourier变换红外吸收光谱对腐蚀产物官能团进行结构分析,结合XRD结果确定腐蚀产物的相组成.结果表明,Mg-1Zn-1Ca合金由α-Mg,Mg2Ca和Ca2Mg6Zn3组成.在SBF溶液中浸泡72 h后,Mg-1Zn-1Ca合金的腐蚀产物为HA (Ca10(OH)2(PO4)6),CaCO3,MgCl2和Mg(OH)2.在浸泡腐蚀过程中,高活性的Mg2Ca相作为阳极率先发生腐蚀,从而对周围α-Mg基体起到一定保护作用,而Ca2Mg6Zn3相活性最低,加剧了α-Mg基体的腐蚀.正挤压态合金耐蚀性能优于铸态合金的耐蚀性能.

关键词: Mg-1Zn-1Ca合金 , 正挤压 , 微观组织 , SBF溶液 , 腐蚀机理

Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3弛豫铁电晶体的生长及表征

赵金 , 惠增哲 , 李晓娟 , 龙伟 , 方频阳 , 楚兴

人工晶体学报

采用高温溶液法生长了准同型相界(MPB)四元弛豫铁电单晶Pb(Sc1/2Nb1/2) O3-Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3,得到较大尺寸且具有规则外形的立方单晶.研究结果表明所生长的晶体为钙钛矿结构,立方晶粒平整的暴露面均为(001)面;晶体以层状方式生长,生长机制为搭桥生长;所生长晶体的矫顽场Ec~3.52kV/cm,三方四方相变温度Tr-t~104℃,居里温度Tc~149.5℃,压电常数d33~1089 pC/N,剩余极化强度Pr~25.4 μC/cm2;随着频率增加,晶体的相变弥散度减小.

关键词: 铁电单晶 , PSN-PMN-PT-PZ , 晶体生长 , 表征

大体积Ni-Sn共晶合金的化学净化与过冷

惠增哲 , 杨根仓 , 周尧和

材料研究学报

将化学净化引入深过冷研究.采用熔融玻璃净化、循环过热与气氛化学净化结合的方法,使100gNi-Sn共晶合金在慢冷条件下重复实验12次均获得268K的大过冷度.该过冷度可保持30个过热循环周期不衰减气氛化学净化机制是以化学反应抑制合金液与熔融玻璃界面上金属氧化物质点的增加,使过冷熔体的异质形核率稳定,从而使过冷度稳定化学净化的主要控制参数是气氛反应温度.但它在达到某一值后,过冷度的变化不明显

关键词: Ni-Sn共晶 , chemical denucleation , undercooling

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