饶瑞
,
徐重阳
,
王长安
,
赵伯芳
,
周雪梅
,
曾祥斌
功能材料
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺--金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温(＜600℃)晶化.利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜.
关键词:
金属诱导
,
非晶硅薄膜
,
低温晶化
,
多晶硅薄膜
张五星
,
徐重阳
,
王长安
,
史济群
,
周雪梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.012
通过 Sol- Gel方法和半导体工艺,制备出基于 Ba0.8Sr0.2TiO3( BST)薄膜的非致冷红外焦平面 阵列( UFPA)探测单元.用 ANSYS有限元分析软件,对探测单元进行了热分析.分析结果表明: 微桥的大小可以极大的影响薄膜受到辐射后的温度以及薄膜温度的均匀性.对微桥和硅衬底上 的 BST薄膜进行了结构和性能上的对比.发现微桥上面的 BST薄膜其介电常数有所下降,漏电 流增加.而且为了得到致密无裂纹的 BST薄膜,必须减少它的厚度.对所制备的 UFPA探测单 元进行了红外测试,得到 1.6mV左右的信号输出,可以满足下一步信号处理的需要.
关键词:
微桥
,
Sol- Gel
,
BST
,
UFPA
,
介电常数
张五星
,
徐重阳
,
王长安
,
史济群
,
周雪梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.009
采用sol-gel方法制备出BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜,并优化工艺提高其介温变化率最大可达6%.通过半导体光刻工艺,刻蚀出BST探测单元,较好的解决了UFPA技术中的探测单元制备问题.设计了初级信号处理电路,并用Protel进行了电路模拟,所得信号可以应用于进一步的信号处理.
关键词:
sol-gel
,
BaxSr1-xTiO3 薄膜
,
UFPA
,
介电常数
刘陈
,
徐重阳
,
尹盛
,
钟志有
,
王长安
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.014
为了研究有机电致发光器件光电性能随工作参数的变化,对 ITO/TPD(50nm)/Alq3(50nm)/Mg/Al的实验数据进行分析,发现该器件在低压时属于注入电流限制,高压时为陷阱电荷限制 (TCLC).另外,采用实验数据验证复合理论 ,发现通过电场数据和电流密度数据( F2/J)能够直接 地反映器件量子效率随电流密度的变化趋势.
关键词:
有机发光器件 (OLED)
,
八羟基喹啉铝 (Alq3)
,
量子效率
,
电荷输运
曾祥斌
,
徐重阳
,
饶瑞
,
JOHNNY K O Sin
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.020
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.
关键词:
NH3
,
N2O
,
表面钝化
,
p-Si TFT
饶瑞
,
徐重阳
,
孙国才
,
王长安
,
曾祥斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.019
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明,在560℃退火6h后,铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理.
关键词:
金属诱导晶化
,
低温
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
张洪涛
,
徐重阳
,
许辉
功能材料
采用两种有机金属化合物为起始原料,用溶胶-凝胶法通过合理控制反应条件,制备出β-SiC凝胶粉体,然后在Ar气氛、900～1300℃下热处理,制备出了纯度非常高、颗粒尺寸在10nm左右的β-SiC纳米粉体.产物纯度达到99.92%.利用X-ray粉晶衍射和透射电镜(TEM)结合Ramah光谱对制得的粉体进行了形貌、结构及颗粒尺寸系统研究.讨论了反应温度对β-SiC纳米粉体颗粒生长机制的影响.
关键词:
纳米粉体
,
β-SiC
,
溶胶-凝胶法
