宋世巍
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秦福文
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吴爱民
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何欢
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王叶安
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姜辛
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徐茵
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顾彪
功能材料
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜.利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征.(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成.光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰.超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K.
关键词:
(Ga,Mn)N
,
ECR-PEMOCVD
,
室温铁磁性
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居里温度
顾彪
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徐茵
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秦福文
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丛吉远
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张砚臣
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孙捷
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016
研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.
关键词:
立方GaN
,
低温生长
,
活化氮源
,
ECR-PAMOCVD
王三胜
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顾彪
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徐茵
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秦福文
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窦宝锋
,
杨大智
材料导报
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
关键词:
GaN
,
外延生长
,
掺杂
,
半导体器件
