徐芸芸
,
张韬
,
陈晰
,
徐新
,
李争鸣
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.04.009
利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了高度C轴择优取向的纳米ZnO薄膜,采用扫描电子显微镜、电子能谱仪和X射线衍射分析仪研究了溅射过程中和热处理过程中氧气对ZnO薄膜形貌、成分以及结构的影响规律.结果表明:在溅射过程中和退火过程中通入适量的氧气,ZnO薄膜(002)衍射面的晶面间距变小,薄膜中的氧含量提高,薄膜中的缺陷减少.在空气气氛中退火2h的薄膜,质量几乎接近了在溅射过程中通入氧气所制得的样品.因此在溅射制备ZnO薄膜时,可以减少氧气用量甚至无需通入氧气,而在热处理过程中实现增氧,从而降低了制备成本,简化了薄膜的制备工艺.
关键词:
ZnO薄膜
,
XRD
,
氧气
,
退火
徐芸芸
,
张韬
,
李争鸣
,
徐新
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.018
采用射频磁控溅射技术制备Sb2O3/CeO2共掺杂ZnO薄膜,研究了薄膜的结构及紫外光吸收性能.结果表明:Sb2O3和CeO2共同掺入ZnO薄膜后,ZnO(002)晶面的XRD衍射峰强度明显下降,ZnO薄膜呈混晶方式生长；共掺杂ZnO薄膜的紫外吸收性能明显优于纯ZnO薄膜,Sb对掺杂ZnO薄膜的结构和紫外吸收性能的影响起主导作用,Ce起进一步的强化作用.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
掺杂
,
结构
,
紫外吸收
常春荣
,
李子全
,
徐芸芸
,
周衡志
,
骆心怡
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.004
用超高真空射频磁控溅射技术制备了高C轴取向的ZnO薄膜,用扫描电镜和X射线衍射仪分别研究了退火对ZnO薄膜形貌和内应力的影响.结果表明:适当温度退火后薄膜的形貌和内应力得到改善,通过增氧、缺陷原子的热激活和晶粒融合等可以有效地降低薄膜中由热效应、缺陷效应和粒子注入效应等引起的张应力,薄膜组织致密化并且柱状晶粒取向趋于一致.450℃退火的ZnO薄膜具有最低的张应力和最佳的结晶质量.
关键词:
ZnO薄膜
,
退火
,
形貌
,
内应力
徐芸芸
,
张韬
,
陈磊
表面技术
采用射频磁控溅射工艺,用高纯ZnO粉末制作靶材,在普通玻璃基片上制备高度C轴取向且残余应力低的纳米ZnO薄膜,并分析其退火前后的组织和微结构.结果表明:在试验范围内,溅射态ZnO薄膜的组织都均匀、致密,晶粒尺寸小于50nm,具有高度的C轴取向,但膜内有残余拉应力,混晶取向且结晶性差的ZnO薄膜的残余应力大;提高氧分压有利于薄膜C轴取向生长和提高晶化程度;在500℃保温2h退火,薄膜内残余应力显著降低,晶化程度提高,晶粒尺寸略有增加.
关键词:
纳米ZnO薄膜
,
RF磁控溅射
,
退火
,
残余应力
