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多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征

花银群 , 孙真真 , 陈瑞芳 , 徐瑞丽

功能材料

采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50mm,厚度为3 mm的Bi2O3、Sb2O3、CO2O3、Cr2O3、MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶,采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜,并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响.结果表明:随着溅射功率的增大,ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大;颗粒尺寸先减小后增大.随着退火温度的升高,ZnO陶瓷薄膜的c轴取向增强;晶粒尺寸增大.溅射功率为350W、退火温度为850℃,制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相、富Bi2O3相、Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相,得到了具有压教电阻特性的组织结构.

关键词: 无机非金属材料 , ZnO陶瓷薄膜 , 射频磁控溅射 , 溅射功率 , 退火温度

氧化铋薄膜的制备及退火温度对其物相和表面形貌的影响

陈瑞芳 , 徐瑞丽 , 刘海霞 , 花银群 , 崔晓

机械工程材料

采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50 mm、厚度为3 mm的Bi2O3陶瓷靶,利用该陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)基体上制备了氧化铋薄膜,研究了溅射压力为0.8 Pa时的氧分压对薄膜物相的影响,并探讨了退火温度(350~550 C)对薄膜的物相和表面形貌的影响.结果表明:随着氧分压从0增大到0.36 Pa,薄膜由BiO相逐渐变成α-Bi2O3相;随着退火温度的升高,薄膜中出现了新的物相,仍为多相结构,不同相的衍射峰半高宽变化有增有减;薄膜的晶粒尺寸随退火温度的升高而增大.

关键词: 氧化铋 , 薄膜 , 磁控溅射 , 退火温度

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