程红娟
,
张嵩
,
徐永宽
,
郝建民
材料科学与工程学报
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响.我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布.根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比.结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好.本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义.
关键词:
模拟
,
GaN HVPE
,
基座
,
衬底
王如
,
杨瑞霞
,
张俊玲
,
徐永宽
功能材料
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.
关键词:
ZnO缓冲层
,
晶格失配
,
三维岛状生长
,
射频磁控溅射
孟大磊
,
徐永宽
,
冯玢
,
郝建民
兵器材料科学与工程
对物理气相传输法（PVT）生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析，进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测，在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管道缺陷产生的影响。发现在生长初期富硅的气氛会在晶体中引入异质相，而异质相的化学计量比失衡会成为诱发微管产生的源头。
关键词:
碳化硅
,
Gibbs函数
,
异质包裹物
,
微管
练小正
,
李璐杰
,
张志鹏
,
张颖武
,
程红娟
,
徐永宽
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3.
关键词:
GaSb
,
垂直布里奇曼法
,
位错密度
,
覆盖剂
高飞
,
李晖
,
徐永宽
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.035
以4H-SiC(0001)面为研究对象,采用原子力显微镜和 X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响.结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧化剂的浓度直接影响 SiC的氧化进程,增大氧化剂的浓度可以显著提高抛光去除速率,当氧化剂浓度为0．15 mol/L时,抛光去除速率可以达到约1200 nm/h,同时可以获得一个无划痕、超光滑、具有原子台阶构型的抛光表面,表面粗糙度值Ra 低至0．0853 nm.
关键词:
碳化硅
,
化学机械抛光
,
氧化剂浓度
,
原子台阶构型
