潘强岩
,
徐望
,
陈金根
,
郭威
,
范功涛
,
阎喆
,
徐毅
,
王宏伟
,
王呈斌
,
陆广成
,
徐加强
,
徐本基
,
马余刚
,
蔡翔舟
,
沈文庆
原子核物理评论
激光具有高强度、高极化度等优异的性能. 用激光束轰击高能电子束就可以产生高强度、高极化度的γ射线束. 上海激光电子γ源就是上海同步辐射装置上的这样一条束线站. 预计可以获得能量范围为1-22 MeV的准单色、高强度(109-1011 s-1)和高极化度(线极化或圆极化)的γ射线束. 介绍了这条束线站目前的进展情况.
关键词:
康普顿散射
,
CO2激光
,
γ源
,
极化
金鹿江
,
陈晋阳
,
刘桂洋
,
李志
,
徐毅
高分子材料科学与工程
在553K-603K条件下,以水为反应介质,引入环境友好的杂多酸催化剂研究尼龙6的解聚反应,比较了催化和非催化条件对解聚的影响.对固体产物进行红外光谱和热失重分析,液相产物采用色谱-质谱联用仪和液相色谱定性与定量分析.结果表明,磷钨酸可提高尼龙6的解聚速率和ε-己内酰胺产率.解聚产物除ε-己内酰胺外,还含有少量的6-氨基己酸和低聚物.探讨了尼龙6的催化解聚动力学,求得解聚速率常数和反应活化能.
关键词:
尼龙6
,
杂多酸催化剂
,
解聚反应
,
ε-己内酰胺
,
动力学
王继民
,
曹洪杨
,
陈少纯
,
徐毅
,
张登凯
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.03.019
为从锌精矿氧压酸浸炼锌工艺的置换渣中提取锗镓铟元素,对二段浸出-萃取分离锗镓铟铜工艺进行研究,锌电积废液用于一段浸出,H2SO4-HF混酸用于一段浸出渣的二段浸出;一段浸出液分别采用二(2-乙基已基)磷酸(P204),C3-5氧肟酸+二(2-乙基已基)(P204)磷酸及5-壬基水杨醛肟(CP150)分别萃取铟,锗镓及铜;二段浸出液用C3-5氧肟酸萃取提锗,萃余液加入氟化钠沉淀氟硅酸钠.试验结果显示,一段浸出用酸度为3.1N的湿法炼锌电积废液,液固比4∶1,初始氧分压0.4 MPa,150℃,经3h的二级浸出后,浸出渣率约为15%,铟镓铜锌4个元素的浸出率都达到98%,而锗浸出率约为80%;一段浸出残渣用H2S04-HF混酸浸出,其氟/硅摩尔比4.2∶1.0,硫酸浓度为2N温度80℃,液固比3∶1,浸出时间为5h,一段浸出残渣中锗几乎完全浸出;一段浸出液在pH 2.0~2.2,30%二(2-乙基已基)磷酸萃取,部分铁与几乎所有的铟被萃取,用2N盐酸反萃,铟、铁的反萃率分别为98.28%和2.79%,可达到铟铁的分离;萃铟余液用3%的氧肟酸+10%二(2-乙基已基)磷酸-煤油协萃锗、镓,铁也发生共萃,锗、镓和铁的单级萃取率均在90%以上,采用次氯酸钠反萃,锗反萃率近100%,且Ge/Ga和Ge/Fe的反萃分离系数分别为10836和318.7.用3 mol·L-的硫酸,相比(W/O) 1∶2反萃镓,镓的一次反萃率达97.5%.二段浸出液采用10%C3-5氧肟酸-煤油萃取,相比(O/w)为1.2∶1.0,锗的单级萃取率达到98.31%.经30%次氯酸钠溶液反萃,锗的一次反萃率达到98.83%,萃余液加入氟化钠,氟硅化物的沉淀率为90%左右.沉硅滤液经补充氢氟酸后返回二段沉出,锗的浸出仍可达到较完全的浸出.该工艺无废液排放,并且通过与湿法炼锌流程的物料交换而变得简化.
关键词:
锗镓提取
,
置换渣
,
二氧化硅基体中锗的溶出
,
锗镓溶剂萃取
何鸿
,
韦龙明
,
张寿庭
,
高阳
,
徐毅
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2009.08.003
八卦庙金矿床石英流体包裹体中3He/4He 值为0.026~0.736 Ra,其中一组为0.026~0.028 Ra,另一组为0.221~0.736 Ra;40Ar/36Ar值为296~1 102;石英包裹体水的H、O同位素组成δD为 - 117.9 ‰~ - 53.38 ‰,δ18OH2O为 - 3.07 ‰~13.30 ‰.He、Ar、H、O同位素比值显示,成矿流体第一阶段印支期为地壳来源,第二阶段燕山期为壳幔混合来源,但地壳来源仍占主要部分.
关键词:
八卦庙金矿床
,
成矿流体
,
He、Ar、H、O同位素
赵玉潮
,
卜敏
,
曾香梅
,
莫朝文
,
徐毅
,
宁振
钢铁研究
在实验室进行了球团配加赤泥铁粉的试验.试验结果表明:随着赤泥铁粉配比的增加生球落下强度升高,造球成球率降低,生球抗爆性能无明显变化,球团矿抗压强度降低,碱金属有害元素等增加.但在赤泥铁粉配比15%时,球团矿抗压强度和碱金属含量都能满足高炉要求,又能取得良好的经济效益,可认为是最佳配比.
关键词:
球团
,
配加
,
铝厂赤泥
,
试验
肖田
,
林明通
,
徐毅
,
陈晨曦
,
陈国荣
,
杨云霞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530~730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48~73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06~0.15V之间,击穿场强为106~139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9~10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.
关键词:
无机EL
,
SrTiO3薄膜
,
Ta2O5薄膜
,
SrTiO3/Ta2O5复合膜