滕冉
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戴小林
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徐文婷
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肖清华
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周旗钢
人工晶体学报
通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案.数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量.
关键词:
硅单晶
,
数值模拟
,
热屏
,
固液界面
曲翔
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徐文婷
,
肖清华
,
刘斌
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闫志瑞
,
周旗钢
材料导报
忆阻器( RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗.简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型；综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等；阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题.
关键词:
忆阻器
,
薄膜材料
,
阻变机制
,
电激励
徐文婷
,
屠海令
,
常青
,
肖清华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.06.026
基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述.结果表明:黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射,有效提高硅太阳能电池转换效率;其特殊光敏性可应用于光波探测器;表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射.当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性,并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺,因此备受青睐,然则其制备成本较高;相比之下,电化学刻蚀法则设备简单、成本较低,亦颇具研究前景.最后,展望了国内黑硅材料的发展趋势.
关键词:
黑硅
,
微结构
,
反射率
魏奎先
,
马文会
,
戴永年
,
杨斌
,
徐文婷
,
刘大春
功能材料
为了去除工业硅中的杂质制备太阳能级硅,根据工业硅凝固过程中铝在固相和液相中溶解度的差异,采用定向凝固法去除工业硅中的杂质铝.实验结果表明,铝的去除效率可达98%,说明利用定向凝固法去除工业硅中的铝是可行的.但由于在结晶过程中晶界上会富集部分铝元素,因而定向凝固法并不能除去这一部分杂质.结合金相实验中样品腐蚀前后晶界上的变化,可以知道利用酸浸可以除去晶界上的杂质铝.还研究了先酸浸后定向凝固法相结合除铝,实验结果表明铝的含量可以降到1.6×10-5,铝的去除率达98.6%.
关键词:
太阳能级硅
,
冶金级硅
,
定向凝固
,
酸浸
,
除铝
游文婷
,
许振良
,
徐文婷
膜科学与技术
利用平均膜孔径0.1 μm的聚四氟乙烯(PTFE)平板膜,采用真空膜蒸馏法(VMD)对高浓度Na2 SO4和CaCl2废水进行处理,讨论了渗透压强、进料温度、盐浓度等操作条件对膜蒸馏的出水通量以及截留率的影响.实验结果表明,随着进水温度的升高,冷侧压强的减小,通量随其增大；进料温度对膜蒸馏渗透通量的影响较为明显,进料温度从323.15 K升高至343.15K,渗透通量可增大4.5倍左右；进料溶液盐浓度对渗透通量的影响较小.同时,真空膜蒸馏的截留率较高,均达到99.99％以上.
关键词:
真空膜蒸馏
,
高含盐废水
,
操作条件
徐文婷
,
余伟
,
孙广杰
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201609015
基于离散化的思想建立了一种变厚度区轧制辊缝设定方程；通过建立空载和负载辊缝闭环控制方程,给出了一种变厚度轧制辊缝动态控制模型；在实验室四辊轧机上对 DP590双相钢进行了单厚度过渡区的变厚度轧制,并对轧后的板材(TRB 板)进行模拟连续退火试验,研究了TRB板连续退火后不同厚度位置处的组织和力学性能.结果表明：在50 mm 长的变厚度区中,板厚度的实际值与设定值之间的最大偏差为0．08 mm,变厚度区的实际长度和设定值之间的偏差为0．3 mm；TRB板在连续退火过程中的温度跟随性好,温度偏差不大；薄区的抗拉强度和伸长率均高于厚区的,分别高65 MPa和2．8％,屈服强度与厚区的相当；结合工艺可行性并基于组织性能的有效控制,建议根据厚区的厚度来制定冷轧双相钢TRB板的连续退火工艺.
关键词:
变厚度轧制
,
双相钢
,
TRB板
,
厚度控制模型
,
连续退火
