张俊刚
,
夏长泰
,
吴锋
,
裴广庆
,
徐军
,
邓群
,
徐悟生
,
史宏生
功能材料
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
关键词:
浮区法
,
宽禁带半导体
,
β-Ga2O3单晶
许心光
,
许贵宝
,
王正平
,
胡大伟
,
邵宗书
,
徐悟生
,
徐玉恒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.005
利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce∶Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性.实验结果表明生长态双掺杂Ce∶Fe与单掺杂Fe的LiNbO3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce∶Fe的LiNbO3晶体的图象存储和擦除特性明显得到改善.氧化态样品具有较大的透过率光谱范围和较好的图象存储质量;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性.
关键词:
铌酸锂晶体
,
光折变效应
,
图象存储
,
透过率光谱
许士文
,
徐悟生
,
李宣东
,
徐玉恒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.005
在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiNbO3晶体中In的掺杂阈值浓度为～3mol%,In(3mol%):Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3提高3个数量级以上.研究了In的掺入使Er:LiNbO3晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理.
关键词:
In:Er:LiNbO3
,
晶体生长
,
光损伤
,
阈值浓度
徐衍岭
,
刘欣荣
,
王锐
,
徐悟生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.008
采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5＝48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶.Ce:Fe:LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe:LiNbO3晶体.所测得(Zn,Fe):LN、(Ce,Fe):LN、(Mg,Fe):LN和Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe):LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe):LiNbO3和(Mg,Fe):LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe):LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe:LiNbO3晶体.
关键词:
双掺杂铌酸锂晶体
,
光折变性能
,
衍射效率
,
引上法晶体生长
赵业权
,
徐悟生
,
徐衍岭
,
杨春晖
,
徐玉恒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.011
在生长LiNbO3晶体过程中掺进ZnO和Ho2O3,生长出Zn:Ho:LiNbO3晶体.测试了Zn:Ho:LiNbO3晶体的双折射梯度、光损伤阈值、吸收光谱和荧光光谱.研究表明,Zn:Ho:LiNbO3晶体是优良的激光介质材料.
关键词:
Zn:Ho:LiNbO3晶体
,
光损伤阈值
,
荧光光谱
,
吸收光谱
,
引上法晶体生长
,
激光晶体
刘欣荣
,
徐衍岭
,
杨春辉
,
徐悟生
,
王锐
,
陈刚
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011
采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.
关键词:
掺镉钨酸铅晶体
,
发射光谱
,
发光效率
,
闪烁晶体
,
引上法晶体生长
赵业权
,
杨鑫宏
,
徐悟生
,
王春义
,
李建立
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.017
采用不同成分配比,以Czochralski法生长铌酸钾锂(KLN)晶体,研究生长工艺和成分配比对KLN晶体性能的影响.选用的轴向温度梯度为28～35℃/cm,晶体的旋转速度为5～10r/min;晶体的生长速度与KLN的生长原料的成分有关.采用场冷法对KLN晶体进行极化处理.极化电流密度为2mA/cm3,极化温度为460～340℃.生长出透明的没有裂纹的KLN晶体.
关键词:
KLN晶体
,
非线性光学晶体
,
引上法晶体生长
,
极化处理
