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MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜

郝瑞亭 , 申兰先 , 邓书康 , 杨培志 , 涂洁磊 , 廖华 , 徐应强 , 牛智川

功能材料

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.

关键词: GaSb , GaAs , 分子束外延(MBE)

薄壁深腔件部分阴模充液成形技术研究

郎利辉 , 许诺 , 王永铭 , 袁超 , 徐应强 , 杨志恒

材料科学与工艺

充液成形技术能有效解决复杂零件的成形问题.针对某飞机薄壁深腔蒙皮常规拉深成形需要多道次成形、成形质量差的问题,通过分析充液成形过程中易出现的失稳,设计了带部分阴模的一模两件充液成形的技术方案.结合数值模拟,对薄壁深腔件充液成形过程中出现的悬空区失稳形式进行了研究,优化了液室压力加载曲线、压边间隙、初始反胀压力等工艺参数.结果表明,薄壁深腔件在带部分阴模的一模两件的工艺方案下,能有效避免悬空区的起皱,同时改善了一模一件补充段的破裂问题,提高了零件成形极限和壁厚分布的均匀性.

关键词: 薄壁深腔件 , 充液成形 , 一模两件 , 部分阴模 , 数值模拟

GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长

郝瑞亭 , 郭杰 , 刘颖 , 缪彦美 , 徐应强

人工晶体学报

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.

关键词: GaSb , 热光伏电池 , 分子束外延(MBE)

铝合金盒形件充液成形法兰变形特性及其失稳影响分析

郎利辉 , 王永铭 , 谢亚苏 , 徐应强 , 杨志恒 , 马宏珺

材料科学与工艺

通过有限元模拟和实验对铝合金盒形件充液成形过程进行研究,分析了铝合金盒形件充液成形法兰直边区和圆角区的变形特性,以及法兰变形对起皱和破裂等失稳形式的影响.结果表明:法兰圆角区变形复杂,存在径向压应力,根据变形特征可分为五个变形区;长直边法兰抗皱能力比短直边法兰小,容易起皱;短直边侧壁变薄量大,在与凸模圆角相切处的板料容易破裂;合理的压边间隙可以有效控制长直边法兰起皱和短直边侧壁破裂,实验结果证明了数值模拟结果的准确性.

关键词: 充液成形 , 盒形件 , 铝合金 , 法兰变形 , 失稳控制

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