徐家跃
,
王杰
,
陈炜
,
肖学峰
,
杨波波
,
王占勇
,
李飞
,
谢会东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160061
以Si(OC2H5)4和Bi(NO3)3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12多晶粉末,每批次可合成250 9.以此为原料、〈001〉取向BSO为籽晶,在坩埚下降炉内生长了BSO晶体,讨论了晶体的析晶行为,获得了30 mm× 30 mm×210 mm的高质量BSO晶体.闪烁性能测试表明,该晶体能量分辨率为18.9％,光输出为同等条件下CSI(T1)晶体的7.2％.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
硅酸铋晶体
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
闪烁性能
丁柳柳
,
江国健
,
姚秀敏
,
李汶军
,
徐家跃
,
刘云英
,
彭桂花
硅酸盐通报
连续陶瓷基复合材料(C4材料)是近年来出现的一种具有全新复合类型的陶瓷/金属复合材料.与传统复合材料(颗粒增强复合材料、纤维增强复合材料、片状增强复合材料等)不同,这种复合材料中陶瓷相和金属相都具有三维连通的内部结构,因此不仅具有陶瓷相和金属相的性能特点,而且由于互锁作用,在某些方面还表现出比单一组分更优异的性能特性,应用前景广阔.本文介绍了C4材料的制备方法、材料体系、性能及应用,重点阐述了C4材料最新的研究进展,并展望了C4材料的应用前景及其发展趋势.
关键词:
连续陶瓷基复合材料
,
C4材料
,
三维连通
冯鹤
,
任国浩
,
丁栋舟
,
李焕英
,
徐军
,
杨秋红
,
徐家跃
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12599
通过浮区法制备得到LPS∶0.5％Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77～500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77～500 K下的衰减时间谱.研究发现晶体中存在解理开裂和热应力开裂,同时存在两种类型的包裹体,分别包含[5i3O9]6-、[SiO3]n2-阴离子团和过量的SiO2.由于采用空气为生长气氛,样品中部分Ce3+被氧化为Ce4+.浮区法LPS∶0.5％Ce表现出较高的发光效率,约为32000 ph/MeV.随着温度的升高,样品的紫外激发发射谱逐渐向长波方向移动,发射谱谱线随着温度的升高展宽,导致自吸收的增加.衰减时间的温度转变点位于450 K,表明LPS:Ce闪烁晶体适用于高温环境,是一种性能优异的闪烁晶体.
关键词:
Lu2Si2O7∶Ce
,
浮区法
,
单晶
,
缺陷
,
闪烁性能
汪美玲
,
徐家跃
,
张彦
,
储耀卿
,
杨波波
,
申慧
,
田甜
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160221
采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol％、0.2mol％、0.3mol％、2mol％、3mo1％和4mol％的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol％以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol％)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145％.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.
关键词:
硅酸铋
,
晶体生长
,
Dy3+掺杂
,
热释光
,
光产额
叶乐
,
史坚
,
李焕英
,
陈晓峰
,
黄跃峰
,
徐家跃
,
任国浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160381
通过坩埚下降法生长GdI3∶2％Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到φ15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能.XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3∶2％Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同.X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3∶2％Ce晶体在450～700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce3+的5d-4f跃迁发光.以550nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm.GdI3∶2％Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4％,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns.研究表明,GdI3∶2％Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景.
关键词:
GdI3∶2％Ce晶体
,
坩埚下降法
,
闪烁性能
申慧
,
徐家跃
,
郁金星
,
武安华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01099
采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO3, 通过工艺优化, 获得了φ(7～10)mm、长度约60mm的YFeO3晶体. XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构, 晶格常数a=5.5964A, b=7.6052A, c=5.2842A. 晶体生长界面为凸界面, 生长取向接近[100]方向.晶体截面抛光后观察, 未发现肉眼可见的包裹体、晶界等缺陷.
关键词:
光学浮区法
,
magneto-optical materials
,
YFeO3 crystal
,
crystal growth
徐家跃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.007
通过对1991～1999年间MSCI数据库中有关晶体论文的计量分析，研究了近10年来晶体学科的发展轨迹。总体来看，晶体学科发展迅速，论文总量逐年以千篇之数快速增长，其中激光晶体论文数增长很快。在我们调查的多种功能晶体中，KDP和含铅铌酸盐晶体(PMN和PZN)近年来增长速率明显高于其它晶体，作为研究热点必将持续下去。SBN论文在近2～3年中也保持较高的数量。由于固液界面温度梯度较小以及容易批量生产等优点，垂直布里奇曼生长技术近年来颇受晶体研究人员的重视。
关键词:
MSCI
,
晶体
,
综述
肖学峰
,
顾赟
,
徐家跃
,
张彦
,
向卫东
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了Ge的摩尔浓度分别为5％、10％、15％的硅锗酸铋晶体(BGSO).利用显微压痕实验系统研究了BGSO晶体的力学性能,包括维氏硬度Hv、断裂韧性Kc、屈服强度σ和脆性指数B.研究表明,BGSO晶体的力学性能参数Hv、Kc和σ随着Ge含量和载荷的增加而逐渐减小,而脆性指数B则增大.在Ge含量从0到15％范围内,BGSO晶体的力学性能基本上表现为BGO和BSO两种晶体力学性能的简单混合.
关键词:
闪烁晶体
,
坩埚下降法
,
BGSO
,
力学性能
金敏
,
徐家跃
,
房永征
,
何庆波
,
周鼎
,
申慧
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.
关键词:
GaAs
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
硅掺杂
,
孪晶
