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反应浸渗法制备SiC/FeSix复合材料

刘小磐 , 赵修建 , 武七德 , 徐学文

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.04.024

研究了在SiC+C坯体中加入Fe粉,用熔融Si进行反应浸渗,以制备不合游离Si的SiC/FeSix复合材料.结果表明:用本实验方法通过调整坯体中Fe含量可以制得不合游离Si的SiC/FeSix复合材料,该材料在室温下的抗弯强度为(220±10)MPa.文中推导了Fe含量与第2相组成的理论模型,同时讨论了热处理工艺对烧结的影响.

关键词: 反应浸渗复合材料SiC

热压烧结Ti3AlC2材料的制备、结构与性能研究

梅炳初 , 徐学文 , 朱教群 , 刘俊

稀有金属材料与工程

采用热压工艺研究了不同工艺制度和原料中不同的Si含量对Ti3AlC2合成的影响.研究表明:在1 300℃~1 500℃,30MPa压力和Ar气氛中热压摩尔比为n(TiC):n(Ti):n(Al):n(Si)=2:1:1:0.2的混合粉末,可以得到纯度达98%(质量分数)以上的致密块体Ti3AlC2材料;添加的Si均匀分布在基体中,形成固溶体,当添加Si的摩尔比为0.2时,固溶体的化学式为Ti2 76Al0 78Si0.22C2.烧结试样的晶体为层片状结构,1 300℃和1 400℃时,烧结试样的晶粒尺寸分别为10μm~15μm和20μm~30μm.材料的维氏硬度为3.3 GPa~5.0 GPa,弹性模量为289 GPa,抗压强度为785 MPa,抗弯强度为375 MPa,断裂韧性为7.0 MPa·m1/2;25℃时,电导率为3.1×106 S·m-1,热容为125.4 J/mol·K,热导率为27.5 W/m·K;热膨胀系数为8.8×10-6 K-1.

关键词: Ti3AlC2 , 热压 , 力学性能 , 热性能 , 电性能

Ti3Si(1-x)AlxC2在900℃~1300℃空气中的氧化行为

梅炳初 , 徐学文 , 朱教群 , 刘俊

稀有金属材料与工程

热压摩尔比为n(TiC):n(Ti):n(Si):n(Al)=2:1:1:0.2混合粉末制备的Ti3Si(1-x)AlxC2(0<x≤0.16)材料在900℃~1 300℃空气中的恒温氧化行为遵循抛物线规律,但在1 200℃和1 300℃是一个两步抛物线过程.随着温度升高,氧化抛物线速率常数kp从900℃的2.45×10-10 kg2·m-4·s-1增大到1 300℃的5.71×10-9 kg2·m-4·s-1,计算的氧化活化能为110 kJ·mol-1±10kJ·mol-1.弥散分布在基体中的Al改变了Ti3SiC2材料的氧化机制,使试样表面形成由大量α-Al2O3和少量TiO2与SiO2组成的致密氧化层,从而提高了材料的抗氧化性.

关键词: 钛硅化碳 , 氧化性能 , 动力学

热压TiC/Ti/Si/Al合成Ti3SiC2材料的研究

梅炳初 , 刘俊 , 朱教群 , 徐学文

稀有金属材料与工程

研究了向原料粉中掺加Al粉对合成高纯致密Ti3SiC2材料的影响.实验表明以2TiC/1Ti/1Si/0.2A1为起始原料组成,采用热压工艺在1 200℃~1 400℃的温度范围内,可以制备得到密度达到理论密度98%以上的高纯致密Ti3SiC2块体材料.由XRD数据计算得到的晶格参数与文献中的值接近.通过SEM和EPMA分析得知Ti3SiC2晶粒呈板状结晶形貌,且发育良好,晶粒在平面内的尺寸分别为3μm~8 μm和4 μm~10 μm.

关键词: Ti3SiC2 , 合成 , 热压烧结 ,

快中子辐照直拉硅中V2的FTIR研究

辛少波 , 梁小平 , 徐学文 , 王小会

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.05.033

通过傅立叶红外光谱仪(FFIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷--双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响.实验结果表明:随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失.

关键词: 直拉硅 , 快中子辐照 , 退火 , 双空位

Pr_(0.3)Tb_xDy_(0.7-x)Fe_(1.9)Ti_(0.1)合金结构和磁致伸缩

刘晓兵 , 刘何燕 , 孟凡斌 , 卢遵铭 , 徐学文 , 李养贤

稀有金属材料与工程

采用电弧熔炼方法制备了Pr_(0.3)Tb_xDy_(0.7-x)Fe_(1.9)Ti_(0.1)(x=0.18~0.21)合金,对样品进行不同条件退火处理,并测量了其磁性能.结果表明:退火前样品都有杂相,并且第二相很大程度上影响样品磁致伸缩;700 ℃,6 d退火处理没有有效消除杂相,样品磁致伸缩没有明显得到改善;而900 ℃,3 d退火处理有效地消除了样品的杂相,尤其是x=0.21的样品,几乎呈现完美的单一的MgCu_2型Laves相,磁化强度和磁致伸缩系数均有所增加,当磁场为900 kA/m时该样品磁致伸缩系数达到了1.12×10~(-3).

关键词: 立方Laves相 , 磁致伸缩 , 磁滞回线

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