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ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

叶志镇 , 张银珠 , 徐伟中 , 吕建国

无机材料学报

ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧V_o和间隙锌Zn_i),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

关键词: ZnO薄膜 , p-type ZnO , property

NO和N₂O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响

周婷 , 叶志镇 , 赵炳辉 , 徐伟中 , 朱丽萍

无机材料学报

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N₂O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N₂O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm, 同时样品的空穴浓度最高,为2.17×10¹⁸cm^-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.

关键词: P型ZnO , electronic properties , MOCVD

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

叶志镇 , 张银珠 , 徐伟中 , 吕建国

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.002

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

关键词: ZnO薄膜 , p型掺杂 , 特性

NO和N2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响

周婷 , 叶志镇 , 赵炳辉 , 徐伟中 , 朱丽萍

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.030

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm,同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.

关键词: p型ZnO , 导电性能 , MOCVD

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