王传彬
,
涂溶
,
後藤孝
,
沈强
,
张联盟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00553
采用脉冲激光沉积(PLD)技术, 在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi2O5薄膜, 研究了基片温度(Tsub)、氧分压(PO2)等沉积工艺对薄膜结构的影响. 结果表明: BaTi2O5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化, 薄膜呈现(710)或(020)取向生长, 最佳的PLD沉积条件为T sub=700℃和P O2=12.5Pa. 在该条件下, BaTi2O5薄膜表现出明显的b轴取向, 薄膜表面平整光滑, 结晶良好, 晶粒呈棒状交叉分布, 结合紧密.
关键词:
BaTi2O5薄膜
,
b-axis orientation
,
substrate temperature
,
oxygen partial pressure
王传彬
,
涂溶
,
後藤孝
,
沈强
,
张联盟
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.027
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi2O5薄膜,研究了基片温度(Tsub)、氧分压(Po2)等沉积工艺对薄膜结构的影响.结果表明: BaTi2O5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化,薄膜呈现(710)或(020)取向生长,最佳的PLD沉积条件为Tsub=700℃和Po2=12.5Pa.在该条件下,BaTi2O5薄膜表现出明显的b轴取向,薄膜表面平整光滑,结晶良好,晶粒呈棒状交叉分布,结合紧密.
关键词:
BaTi2O5薄膜
,
b轴取向
,
基片温度
,
氧分压
公衍生
,
涂溶
,
後藤孝
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00391
采用激光化学气相沉积（LCVD）技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率（PL）、衬底预热温度（Tpre）和沉积总压力（Ptot）对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射（XRD）、俄歇能谱（AES）和场发射扫描电镜（FESEM）对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明：所得到的TiNx薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由（111）变为（200）,薄膜的取向与其微观结构一致.TiNx薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在PL=100W时,达到最大值90μm/h（沉积面积为300mm2）,显著高于采用其它方法制备的TiNx薄膜.
关键词:
TiNx薄膜
,
highspeed deposition
,
orientation
,
laser chemical vapor deposition (LCVD)
公衍生
,
涂溶
,
後藤孝
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00391
采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiN_x薄膜,重点研究了激光功率(P_L)、衬底预热温度(T_(pre))和沉积总压力(P_(tot))对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明:所得到的TiN_x薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiN_x薄膜的取向由(111)变为(200),薄膜的取向与其微观结构一致.TiN_x薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在P_L=100W时,达到最大值90μm/h(沉积面积为300mm~2),显著高于采用其它方法制备的TiN_x薄膜.
关键词:
TiN_x薄膜
,
快速生长
,
取向
,
激光化学气相沉积(LCVD)
