刘志勇
,
孙孟良
,
范峰
,
彭麟
,
陈昌兆
,
高波
,
应利良
,
鲁玉明
,
蔡传兵
功能材料
研究了磁场作用下电沉积Ni金属膜的生长过程,磁场与电极表面夹角取35°.测试结果表明电流密度、基底织构和磁场对薄膜的织构和表面形貌均具有重要影响.随着电流密度的增加,薄膜的面外织构由(111)为主变为(200)为主,面内织构显著改善;晶粒尺寸随着电流密度的增加显著增大.在电流密度较小时,磁场的作用比较显著,使得面外(111)晶面取向受到抑制,(200)取向得到增强,面内织构也有一定的改善.同时,磁场使晶粒变小,形状更加规则,整体也更均匀.还对磁场、电流和基底的作用机制进行了分析.
关键词:
电沉积
,
镍金属膜
,
织构
,
磁流体动力学效应
雷伟
,
刘永生
,
徐娟
,
杜文龙
,
司晓东
,
郭保智
,
高湉
,
彭麟
功能材料与器件学报
阐述了国内外锰锌铁氧体制备技术的研究进展,主要包括了传统的固相法、共沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法以及自蔓延燃烧法等方法.介绍了各种方法的原理与应用,并分析了各种方法的优势与不足.其中,化学共沉淀法、溶胶凝胶法-自蔓延燃烧法制备方法应用较为普遍,而水热合成法和微乳液法在制备纳米级锰锌铁氧体晶体及相关功能化材料中有着重要的应用.分析表明锰锌铁氧体的制备还需进一步完善,并提出锰锌铁氧体与导电聚合物的复合、外加磁场制备锰锌铁氧体的研究方向.
关键词:
锰锌铁氧体
,
干法
,
湿法
刘永生
,
张金仓
,
谷民安
,
郁黎明
,
杨晶晶
,
高湉
,
杨正龙
,
彭麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.11.010
用高能球磨的方法制备铁基纳米晶铁钴和铁镍合金,研究材料的结构与频率特性.结果表明:具有体心立方晶体结构样品的颗粒尺寸在0.5~5μm之间,尺寸分布较宽;而具有体心立方和面心立方混合晶体结构样品的在5~20μm之间,尺寸分布较窄.含钴样品的钴含量有提高样品截止频率的作用;样品的磁导率实部在掺杂量为7.69%(原子分数)时均出现极大值.Co掺杂的样品显示出弛豫型磁谱特征,而Ni掺杂样品则显示出共振型磁谱特征.Fe-Co样品在高频区域磁导率虚部随着掺杂量的增大而减小,同时随着掺杂量的增加,磁导率虚部最小值向高频区域移动.Fe-Ni样品的磁导率虚部最小值也随着掺杂量的增加向高频区域移动.纯铁样品则在高频区域磁导率虚部小于掺杂样品.
关键词:
微结构
,
纳米晶
,
频率特性
,
高能球磨
杜文龙
,
刘永生
,
司晓东
,
雷伟
,
徐娟
,
郭保智
,
林佳
,
彭麟
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.029
随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要.本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化,并分别介绍了它们在应用上的优缺点.分析了制备钝化膜过程中存在的问题,并提出了相应措施及发展趋势.表面钝化技术是提高晶体硅电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点之一.
关键词:
太阳电池
,
表面钝化
,
转化效率
,
钝化膜
房文健
,
刘永生
,
方津
,
彭麟
,
郭保智
,
高湉
稀有金属材料与工程
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了闪锌矿结构Co掺杂ZnS体系的电子结构和磁性.通过计算掺杂后组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度,发现单个Co原子掺杂,替换超晶胞(2×2×2)中心的Zn原子后体系形成能小于0,可以实现掺杂,且在费米能级处出现自旋极化现象,体系具有半金属特性.通过对2个Co原子的掺杂情况的计算,发现Co-S-Co反铁磁耦合、Co-S-Zn-S-Co铁磁耦合时体系最稳定,同时解释了Co掺杂ZnS体系的铁磁性产生机理.
关键词:
稀磁半导体
,
第一性原理
,
Co掺杂ZnS
房文健
,
刘永生
,
杨晶晶
,
方津
,
彭麟
,
杨正龙
材料科学与工程学报
综述了CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)的晶体结构、光学性质和电学性质,介绍了其禁带宽度、导电类型、吸收系数、晶界面复合速率和少子寿命等重要参数.重点介绍了利用磁控溅射系统制备CIGS薄膜的两种制备工艺:磁控溅射金属预制层硒化法和单步溅射法；综述了非真空制备工艺中常用的电化学沉积法.分析了CIGS现存问题:制备工艺复杂、成本高,稀有金属In、Ga的短缺；并提出了相应的解决措施及发展趋势.
关键词:
铜铟镓硒
,
结构性质
,
磁控溅射
,
电化学沉积法
郭保智
,
刘永生
,
武新芳
,
房文健
,
彭麟
,
高湉
人工晶体学报
利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的品格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构.氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最高;最后分析了氧空位对三种掺杂体系导电性的影响.
关键词:
ZnO
,
掺杂
,
氧空位
,
第一性原理
郭保智
,
刘永生
,
房文健
,
徐娟
,
武新芳
,
彭麟
硅酸盐通报
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.
关键词:
氧化锌
,
n型导电
,
本征缺陷
,
非故意掺杂
蔡传兵
,
刘志勇
,
彭麟
,
高波
,
刘金磊
,
应利良
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.04.001
本文较系统地总结和分析了氧化物高温超导薄膜晶界的电流电压、薄膜晶界及其二维网络中的临界电流密度等电传输特性,讨论了薄膜晶界电流密度对磁场的依赖关系和各向异性特征,介绍了薄膜晶界电传输特性的光电辐射效应、化学掺杂效应和电场效应.这些针对超导薄膜晶界电传输特性的研究不仅对高温超导弱连接和电子配对机制的理解,而且对基于双轴织构和薄膜外延技术的第二代高温超导带材的发展具有重要意义.
关键词:
高温超导
,
薄膜晶界
,
电流电压
,
临界电流密度
