赵立新
,
彭鸿雁
,
陈玉强
,
罗玉杰
,
陈宝玲
,
徐闰
,
黄健
,
王林军
,
夏义本
,
金曾孙
新型炭材料
采用大功率、高重复频率、准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了直流辉光氢等离子体处理对类金刚石膜的场发射性能的影响.结果表明:氢等离子体处理后,类金刚石膜的场发射性能明显提高,其发射阈值电场由26 V/μm下降到19 V/μm.氢等离子体刻蚀除去了类金刚石膜生长表面的富含石墨的薄层,露出的新表面具有较低的功函数;膜表面的悬键被氢原子饱和,进一步降低了电子亲和势,改善了膜的场发射性能.
关键词:
类金刚石膜
,
氢等离子体处理
,
场发射
任玲
,
王林军
,
苏青峰
,
刘健敏
,
徐闰
,
彭鸿雁
,
史伟民
,
夏义本
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.011
采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)方法生长得到25μm厚的[100]取向金刚石膜,用以制备辐射探测器.在100 V偏压下,测得暗电流为16.1 nA,55Fe X射线(5.9 keV)和241Am α粒子(5.5 MeV)辐照下的净光电流分别为15.9nA和7.0nA.光电流随时间的变化先快速增加随后由于"pumping"效应逐渐达到稳定.X射线和α粒子辐照下的平均电荷收集效率分别为45%和19%,并由Hecht理论计算得到对应的电荷收集距离为11.25μm和4.75μm.
关键词:
金刚石膜
,
辐射探测器
,
光电流
,
电荷收集效率
赵立新
,
彭鸿雁
,
陈玉强
,
陈宝玲
,
徐闰
,
黄健
,
王林军
,
夏义本
,
王惟彪
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.018
采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了激光功率密度和重复频率对类金刚石膜的结构及场发射性能的影响.保持重复频率不变,提高激光功率密度可提高膜中sp3键碳的含量和膜的场发射性能;在最佳激光功率密度下,当重复频率由200 Hz提高到500 Hz,膜中sp3键碳的含量和膜的场发射性能先提高,后降低,在300 Hz时达到最佳.在300 Hz重复频率、1010W/cm2激光功率密度下.膜的发射阈值电场为26 V/μm,在34 V/μm的电场下测得电流密度为14μA/cm2.根据类金刚石膜的场发射机理对上述结果进行了分析解释.
关键词:
脉冲激光沉积
,
类金刚石膜
,
场发射
彭鸿雁
,
申家镜
,
杨贵龙
,
邵春雷
,
魏雪峰
,
杨广亮
,
金曾孙
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.022
采用一种改进的热丝CVD系统沉积金刚石膜。在传统热丝CVD腔中设置一套红外线发
生器，中心波长3.5μm,处于氢与甲烷分子拉伸振动吸收峰位置。由于共振吸收能量使反应气
体分解加强,在反应区获得较高浓度的原子氢和活性碳氢基团，使金刚石膜的生长速率和品质
得到了提高。
关键词:
光子热丝
,
金刚石膜
,
生长速率
吕宪义
,
金曾孙
,
郝世强
,
彭鸿雁
,
曹庆忠
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2003.03.005
用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响.实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀,说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相.并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长,(111)面的生长是岛状生长.
关键词:
氧等离子体
,
金刚石膜
,
刻蚀
,
结构特性
姜宏伟
,
黄海亮
,
贾相华
,
尹龙承
,
陈玉强
,
彭鸿雁
新型炭材料
采用直流热阴极PCVD( Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控.间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行.采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较.结果表明,当单个生长周期为30m in(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜.
关键词:
直流热阴极
,
CVD
,
间歇生长模式
,
金刚石膜
吕江维
,
冯玉杰
,
彭鸿雁
,
陈玉强
材料科学与工艺
为了获得高质量的金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积系统分别在不同基片温度和不同碳源气体含量条件下生长金刚石薄膜,利用Raman光谱、SEM和XRD检测方法研究了基片温度和碳源气体含量对金刚石薄膜生长特性的影响.结果表明,金刚石薄膜与基片Mo之间有Mo2C的过渡层存在;1000℃的温度能够促进金刚石晶体的生长,抑制其他碳杂质的形成,CH4体积分数为2%适于快速生长高纯度的金刚石薄膜.
关键词:
金刚石
,
直流热阴极
,
化学气相沉积
彭鸿雁
,
赵万邦
,
赵立新
,
姜宏伟
,
孙丽
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.04.002
采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响.对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600 nm减小到约30 nm.金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大.等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团.
关键词:
纳米晶金刚石膜
,
热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积
,
氩气/甲烷/氢气混合气
