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溶剂热-溶胶凝胶两步法合成(Y,Gd)(P,V)O4∶Eu3+,Bi3+荧光粉及其发光研究

蒲勇 , 刘碧桃 , 朱达川 , 彭玲玲 , 韩涛 , 于泓

稀有金属材料与工程

采用溶剂热-溶胶凝胶两步法合成了(Y1-z,Gdz)1-x-y(Pz,V1.z)O4∶ xEu3+,yBi3+系列红色荧光粉.用XRD、SEM和荧光分光光度计,对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行了表征.结果表明:样品为四方晶系,掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大;样品形貌均一,呈短杆状或椭圆状;激发光谱由位于250~400 nm的O2--V5+带和Eu3+-O2-带组成;最强发射峰位于619 nm,归属于Eu3+的5D0→7F2特征跃迁发射;Eu3+的最佳掺杂量为5 mol% (x=0.05);掺杂Bi3+、Gd3+、P5+后,样品发射强度得到显著提高,Bi3+的掺杂还会使激发带红移至400 nm.说明这类荧光粉是可用于近紫外芯片激发的白光LED用红色荧光粉.

关键词: 白光LED , (Y,Gd)(P,V)O4∶ Eu3+,Bi3+ , 两步法 , 红色荧光粉

水热法合成ZnSe纳米晶及其发光性质的研究

彭玲玲 , 王育华

材料导报

采用水热法在低温下合成了球形的立方相ZnSe纳米晶,研究了水热过程中ZnSe纳米晶的结晶动力学过程.通过在水热反应过程中添加不同量的C17H33COOH,得到了形貌规则、不同粒径的ZnSe纳米晶.水热条件下C17H33COOH能控制纳米晶形貌和分散性的机理为:C17H33COOH分子内部的羧基提升了ZnSe纳米晶的表面完整性,并保护了ZnSe结构内部的非极性烷基,使得ZnSe纳米晶很容易分散在非极性溶剂中,提高了溶液中ZnSe纳米晶的分散性、光谱测试结果表明ZnSe纳米晶的发射光谱随着粒径减小发生蓝移,归因于量子限域效应的增强.

关键词: 纳米晶 , 稳定剂 , 分散性

核壳结构的Al2O3/YAG:Ce荧光粉的喷雾干燥法制备及形成机理

韩涛 , 彭玲玲 , 曹仕秀 , 朱达川 , 涂铭旌 , 张进

稀有金属材料与工程

采用喷雾干燥法制备核壳结构的Al2O3/YAG:Ce荧光粉,所得样品为立方Y3Al5O12结构,球形颗粒的粒径为1~8 μm,显示出比共沉淀法高的内部量子效率.核壳结构的Al2O3/YAG:Ce荧光粉的形成机理为,起始悬浮液包含微米级的A12O3和Y3+、Al3+、Ce3+等形成的聚阳离子,经过雾化形成小液滴,在溶剂挥发过程中,由于聚阳离子比微米级的A12O3的迁移速度大,在颗粒间的毛细管力的作用下,自组装成为聚阳离子包裹微米级的A12O3的核壳型结构,在850~1250℃时焙烧2h,就得到了核壳型的荧光粉.

关键词: 荧光粉 , 核壳结构 , 机理 , 喷雾干燥法

机械力化学-喷雾干燥法制备球形YAG∶Ce粉体及其发光特性

韩涛 , 彭玲玲 , 涂铭旌 , 朱达川

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅰ).027

采用机械力化学-喷雾干燥技术制备球形YAG∶Ce粉体.通过XRD、SEM和荧光光谱等分析方法,研究焙烧温度、混悬液浓度、Ce3+掺杂量对粉体的形貌、粒度及发光性能的影响.结果表明,YAG∶Ce前驱体为球形,粒径分布在2~10μm之间,经1300℃焙烧处理,形貌由毛团状转变为米团状.焙烧温度超过900℃时,形成YAG单相,并随着温度升高晶粒尺寸增大.随着混悬液浓度的增加,粉体尺寸明显增大,相应的发光性能先增大后减小,当浓度达到0.2mol/L时,发光性能最佳,是由于其不同的光学性能造成的.随着Ce3+掺杂量x增加,粉体的发光强度先增大后减小,当x=0.06时,达到最大值,粉体的发射光波长先红移后蓝移;当x=0.1时,红移达最大值.由于电多极的相互作用,产生Ce3+浓度淬灭效应,其能量传递的临界距离Rc≈1.9nm.

关键词: 材料 , 球形YAG∶Ce , 机械力化学法 , 喷雾干燥 , 发光性能

近紫外LED用荧光粉的研究进展

郎天春 , 韩涛 , 彭玲玲 , 张进

材料导报

综述了近年来国内外关于近紫外LED用荧光粉的研究进展,重点介绍了近紫外LED用三基色荧光粉(红、绿、蓝)、黄色荧光粉和白色荧光粉的光谱特性,并提出了需进一步研究的问题.

关键词: 近紫外LED , 荧光粉 , 光谱特性

稀土发光材料的第一性原理计算

敬小龙 , 邓莹 , 陈慧 , 蒲勇 , 彭玲玲

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.004

第一性原理方法是计算材料性质的重要方法.稀土发光材料已经广泛应用于日常生活,对其原始创新要求越来越高.介绍了近期第一性原理在稀土发光材料中的研究成果,并对发展前景提出了展望.

关键词: 稀土发光材料 , 第一性原理 , 能带结构 , 电荷密度

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